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半导体激光器.制造.封装00;目录;1.半导体激光器材料选择;半导体激光器的材料选择;半导体LD的特点及与LED区别
;半导体异质结;2.制作工艺;2.1半导体激光器的工艺过程;2.2外延生长技术;液相外延技术;有机金属化合物化学气相沉淀;分子束外延;几种外延技术的比较：;2.3腐蚀（光刻）工艺步骤; 利用晶向和腐蚀液的差别可得到不同的腐蚀横截面;2.4芯片金属化（欧姆接触）;2.5半导体激光器的解离;2.6热沉、烧焊、键合;3. DFB-LD和VCSEL芯片制造;3.1DFB-LD芯片制造;DFB-LD;DFB-LD;DFB-LD;DFB-LD;DFB-LD;DFB-LD;DFB-LD;3.2 VCSEL 芯片制造;VCSEL 芯片制造;VCSEL 芯片制造;VCSEL 芯片制造; 4. 半导体LD耦合封装技术;4.1 半导体LD与光纤的耦合;
; 半导体LD的封装是指通过电连接、光耦合、温控、机械固定及密封等措施使半导体LD成为具有一定功能且性能稳定的组件的装配过程.
激光器封装的目的：
⑴隔绝环境，避免损害，保证清洁；
⑵为器件提供合适的外引线；
⑶提高机械强度，抵抗恶劣环境；
⑷提高光学性能；
封装器件的主要要求：
⑴气密性好，保证管芯与外界隔绝；
⑵结构牢固可靠，部件位置稳定，经受住各种环境；
⑶热性能好，化学性能稳定，抗温度循环冲击；
⑷可焊性好，工艺性好，有拉力强度；
⑸符合标准，系列化，成本低，适合批量生产。;驱动电流对封装技术的影响;TO封装技术;TO（同轴）封装;插拔式同轴封装;窗口式同轴封装;
;蝶式封装技术;14脚蝶式封装激光器结构;气密小室封装激光器 ;子载体封装激光器;微波封装设计;
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