半导体第七章金属和半导体的接触课件.ppt

当V0时，若qVk0T，则 当V0时，若|qV|k0T，则 该理论适用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。 当n型阻挡层很薄，电子平均自由程远大于势垒宽度。起作用的是势垒高度而不是势垒宽度。电流的计算归结为超越势垒的载流子数目。 假定，由于越过势垒的电子数只占半导体总电子数很少一部分，故半导体内的电子浓度可以视为常数。 讨论非简并半导体的情况。 ②热电子发射理论 针对n型半导体，电流密度 其中理查逊常数 Ge、Si、GaAs有较高的载流子迁移率，有较大的平均自由程，因此在室温下主要是多数载流子的热电子发射。 两种理论结果表示的阻挡层电流与外加电压变化关系基本一致，体现了电导非对称性 正向电压，电流随电压指数增加；负向电压，电流基本不随外加电压而变化 JSD与外加电压有关；JST与外加电压无关，强烈依赖温度T。当温度一定，JST随反向电压增加处于饱和状态，称之为反向饱和电流。 ③镜像力和隧道效应的影响 镜像力的影响 隧道效应 微观粒子要越过一个势垒时，能量超过势垒高度的微粒子，可以越过势垒，而能量低于势垒高度的粒子也有一定的概率穿过势垒，其他的则被反射。这就是所谓微粒子的隧道效应。 半导体 第七章 金属和半导体的接触 本章内容 金属和半导体接触（4学时） 金属半导体接触及其能级图；少数载流子的注入和欧姆接触。 重点：金属和半导体之间接触的能带图，少数载流子的注入过程和形成欧姆接触的必要条件。 7.1 金属半导体接触及其能级图 金属功函数 7.1.1 金属和半导体的功函数 金属中的电子虽然能在金属中自由运动，但绝大多数所处的能级都低于体外能级。 金属功函数随原子序数的递增呈现周期性变化 关于功函数的几点说明: 对金属而言, 功函数Wm可看作是固定的. 功函数Wm标志了电子在金属中被束缚的程度. 对半导体而言, 功函数与掺杂有关 功函数与表面有关. 功函数是一个统计物理量。 半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体的功函数。 Ec (EF)s Ev E0 χ Ws χ表示从Ec到E0的能量间隔： 称χ为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。 En Ep 故 其中 对半导体，电子亲和能χ是固定的，功函数与掺杂有关 半导体功函数与杂质浓度的关系 ? n型半导体: ? p型半导体: 7.1.2 接触电势差 设想有一块金属和一块n型半导体，并假定 金属的功函数大于半导体的功函数，即： 接触前： Ec (EF)s Ev E0 χ Ws En Wm (EF)m 金属和半导体间距离D远大于原子间距 由于WmWs，即 EFm EFN 半导体中电子能量较大—易进入金属—金属带负电—半导体带正电（施主离子 ）—形成空间电荷区（类似P-N结）—能带将弯曲—形成势垒—接触电位差—到平衡—费米能级统一 随着D的减小 靠近半导体一侧的金属表面负电荷密度增加，同时靠近金属一侧的半导体表面的正电荷密度也随之增加。 由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在一层相当厚的表面层内，即空间电荷区。 空间电荷区内存在一定电场，造成能带弯曲。半导体表面和内部之间存在电势差VS，称为表面势。 若D小到可以与原子间距相比较 忽略间隙中电势差的极限情况 电子可自由穿过间隙，这时Vms很小，接触电势差大部分降落在空间电荷区。 半导体一侧电子的势垒高度（接触势垒） 金属一侧电子的势垒高度 若WmWs，半导体表面形成正的空间电荷区，电场由体内指向表面，Vs0，形成表面势垒（阻挡层）。 En Ec Ev (EF)s qVD qΦns Wm χ 能带向上弯曲，形成表面势垒。势垒区电子浓度比体内小得多→高阻区(阻挡层)。 若WmWs，电子从金属流向半导体，半导体表面形成负的空间电荷区，电场由表面指向体内，Vs0。形成高电导区（反阻挡层）。 能带向下弯曲。这里电子浓度比体内大得多， 因而是一个高电导的区域，称之为反阻挡层。 En Ec Ev (EF)s qVD X-Wm 金属与p型半导体接触时，若WmWs，形成空穴的表面势垒。在势垒区，空间电荷主要由电离受主形成，空穴浓度比体内小得多，也是一个高阻区域，形成P型阻挡层。 金属与p型半导体接触时，若WmWs，能带向上弯曲，形成P型反阻挡层。 n型 p型 WmWs 阻挡层 反阻挡层 WmWs 反阻挡层 阻挡层 上述金半接触模型即为Schottky 模型： 7.1.3表面态对接触电势的影响 实验表明：不同金属的功函数虽然相差很大，但与半导体接触时形成的势垒高度却相差很小。 半导体 金属 功函数 ?m(V) n-GaAs Au Al Pt 4