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试验研究
: /
DOI10.11973wsc201708002
j
化学机械抛光参数对声发射特征的影响
, ,
冯 超 余前程 何永勇
( , )
清华大学 机械工程系 北京 100084
: ( ) ,
摘 要 化学机械抛光 是实现晶圆全局平坦化的主要手段 分析 过程的声发射
CMP CMP
、 . ,
特征对探究CMP机理 监测CMP过程具有重大意义 以半导体互连材料铜为对象 分析铜 CMP
, ( ) . :
过程的声发射特征 探索CMP过程产生声发射 AE信号的机制 研究发现 随着抛光压力和抛
光垫转速的增加, 信号强度增大; 过程通入的液体成分对 信号有较明显的影响;
AE CMP AE AE
, .
信号的能量主要分布在两个频段 其中高频成分能够表征 CMP过程的划痕
: ; ; ;
关键词 化学机械抛光 声发射 铜 划痕
中图分类号: ; 文献标志码: 文章编号: ( )
TB535TG115.28 A 1000G6656201708G0007G04
EffectsofChemicalMechanicalPolishin ParametersonAcousticEmissionCharacteristics
g
, ,
FENGChao YU ianchen HEYon on
Q g gy g
( , , , )
TheDeartmentofMechanicalEnineerin TsinhuaUniversit Beiin 100084 China
p g g g y jg
: ( ) ,
AbstractChemicalmechanicalolishin CMP isadominatin wa torealize loballanarizationofwafers
p g g y g p
andacousticemissionisver sensitivetomaterialdamae.Soitisof reatsinificancetoinvestiateacoustic
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