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可靠性试验项目 高温贮存试验 HTST High Temperature Storage 设备能力 环境温度+20℃ ~200℃ 常规条件： ①85℃ ②125℃ ③150℃ 可靠性试验项目 低温贮存试验 LTST Low Temperature Storage 试验目的： 评定产品承受长时间施加低温应力下工作或贮存的适应能力。 试验条件： 贮存温度： A: -40(-10/+0) ℃ B: -55(-10/+0) ℃ C: -65(-10/+0) ℃ 试验时间：168/504/1008hrs 可靠性试验项目 低温贮存试验 LTST Low Temperature Storage 高低温恒温试验箱 设备能力：-70℃~150℃ 设备精度：±0.2℃ 设备特点：设备具有可编程设置，可进行高低温循环试验。 常规条件： ①-40℃ ②-55℃ ③-65℃ 可靠性试验项目 电耐久试验 Burn-in 试验目的： 评定晶体管经长时间施加电应力和温度应力作用的能力。 试验条件： 1.普通三极管： 常温条件电压、电流：Vce=0.7Bvceo，Ic=Ptot/Vce（Bvceo为规范要求值，Ptot为规范要求的功率值）。 2.三端稳压器（主要针对78/79系列）： 输入电压：根据常规三端稳压器电耐久试验条件对照表 负载电流：负载电流＝额定功率P/（输入电压