化学气相输运沉积单晶钨涂层.DOCVIP

化学气相输运沉积单晶钨涂层 北京理工大学 史佳庆，沈艳波 (1: 北京理工大学材料学院，北京市100081； 2: 中国航天系统科学与工程研究院，北京市 100048；) （于2016.12 发表于Materials Characterizations） 谭成文 教授 于晓东 副教授 中文摘要：钨单晶具有许多优异的性能，诸如高熔点、高蠕变强度等。化学气相输运沉积(chemical vapor transportation deposition, CVTD)是一种制备大尺寸W单晶涂层的有效方法。在本研究中，以WCl6作为输运介质，将W单晶涂层沉积在轴向为111的单晶Mo基体表面。使用扫描电子显微镜(scanning electron microscope, SEM)和背散射电子衍射(electron backscattered diffraction, EBSD)技术研究了涂层的微观结构，结果表明：沉积的W涂层外形为六棱柱；涂层局部存在异常生长现象，该异常生长可能由Mo基体的缺陷引起，导致取向差异甚至在涂层中形成晶界；此外，通过蚀坑法和同步辐射X射线衍射测定单晶钨涂层的位错密度约为106?107个/ cm2，且随着沉积温度升高，位错密度降低，在1300℃以上温度沉积的样品上没有发现亚晶界。 英文摘要：The tungsten single crystal has many excellent properties. Chemical vapor transportation deposition (CVTD) is a possible approach to achieve large-sized W single crystals for high-temperature application such as the cathode of a thermionic energy converter. In this work, CVTD W coatings were deposited on the monocrystalline molybdenum substrate using WCl6 as a transport medium. The microstructures of the coatings were investigated by a scanning electron microscope (SEM) and electron backscatter diffraction (EBSD). The as-deposited coatings are hexagonal prisms. A dislocation density of 106 to 107 counts/cm2 was revealed by an etch-pit method and the synchrotron X-ray diffraction. As the depositing temperature rises, the dislocation density decreases, and no sub-boundaries are found on samples deposited over 1300°C, as a result of the atom diffusion and the dislocation climbing. 关键词：钨单晶；化学气相输运沉积；微观组织 1. 引言 与常用的太阳能电池阵列相比，热离子型核电源应用于航天器具有更突出的优势，包括结构更加简单稳定、没有旋转部件、可实现小型化、能用于黑暗环境并且能够在恒定大功率输出时保持较高的能量密度[1, 2]等。作为核电源“心脏”的热离子能量转换器阴极在整个服役期间都处于1500℃左右的高温及辐照环境。钨单晶具有高熔点、高抗蠕变强度、高弹性模量、高耐辐射性和较高的功函数等综合性能[3, 4]，这使其成为制作能量转换器阴极的理想材料。显然，W单晶的微观组织会显著影响热离子能量转换器的使用寿命和稳定性，尤其是单晶体中的亚晶界会明显缩短使用寿命。因此对其微观组织深入研究具有十分重要的意义。前人研究中采用电子束区域熔炼(electron beam floating zone smelting, EBFZM)可生成高纯W单晶，但无法制备W单晶涂层。已有研究报道了用常规化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)的方法制备W单晶涂层。研究人员用W(CO)6作为前驱体，在Si和Cu基体上沉积了W单晶薄膜，但该薄膜中混入了杂质元素(C和O)。奥本大学和乌普萨拉大学的研究人员使用激光化学气相沉积(laser assis