第二章半导体中的杂质和缺陷分解.pptVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷;由于杂质和缺陷的存在，会使严格按照周期性排列的原子所产生的周期性势场受到扰乱，因而杂质的电子不可能处于正常的导带和价带中，而是在禁带中引入允许电子具有的能量状态（等高的分立能级），即在禁带中引入杂质能级，以至于影响半导体材料的性质。 III、V族杂质在硅、锗晶体中可处于束缚态和电离后的离化态，其电离能很小，引入的是浅能级，这些杂质称为浅能级杂质。 根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为： 浅能级杂质→ 杂质能级接近导带底Ec 或价带顶Ev 深能级杂质→ 杂质能级远离导带底Ec 或价带顶Ev;§2-1 半导体中的浅能级杂质和缺陷;2. 缺陷的类型;二、元素半导体中的杂质和缺陷; 氢原子中的电子的运动轨道半径为： n＝1为基态电子的运动轨迹 Si中受正电中心P+束缚的电子的运动轨道半径： (εr)Si＝12 me*＝0.4m0 电子基态的运动半径为： P原子中这个多余的电子，其运动半径远远大于其余四个电子，所受到的束缚最小，极易摆脱束缚成为自由电子。 P原子具有提供电子的能力，称其为施主杂质。 对于Ge中的P原子，剩余电子的运动半径：r ≈85?;(2) 施主电离能和施主能级;施主的电离能;在Si、Ge中掺P;V族杂质在硅、锗晶体中作为施主。杂质原子电离后，向导带提供电子，而自身成为难以移动的带正电离子，使半导体成为n型，这种杂质称为施主杂质或n型杂质。 含有施主杂质的半导体，其导电的载流子主要是电子——N型半导体，或电子型半导体。;2. ⅢA族的替位杂质;(2) 受主电离能和受主能级;杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程：（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁)称为杂质电离或杂质激发。所需要的能量称为杂质的电离能。 如果施、受主能级分别离导带底和价带顶很近，电离能很小，在常温下杂质基本全部电离，使导带或价带增加电子或空穴，这些杂质称为浅能级杂质，它的重要作用是改变半导体的导电类型和调节半导体的导电能力。 电子从价带直接向导带激发，成为导带的自由电子，这种激发称为本征激发，只有本征激发的半导体???为本征半导体。;例如：Si在室温下，本征载流子浓度为1010/cm3，掺入P： P的浓度/Si原子的浓度＝10- 6 Si原子的浓度为1022～1023/cm3 施主向导带提供的载流子＝1016 ～1017/cm3 本征载流子浓度 掺施主的半导体的导带电子数主要由施主决定，半导体导电的载流子主要是电子（电子数空穴数），对应的半导体称为N型半导体。称电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。 掺受主的半导体的价带空穴数由受主决定，半导体导电的载流子主要是空穴（空穴数电子数），对应的半导体称为P型半导体。空穴为多子，电子为少子。 N型和P型半导体都称为极性半导体;3. 杂质的补偿作用;4. 元素半导体中的缺陷;（2）填隙;三、化合物半导体中的杂质和缺陷; 施主杂质 掺ⅥA族元素（Se、S、Te）在GaAs中通常都替代ⅤA族元素As原子的晶格位置，由于ⅥA族原子比ⅤA族原子多一个价电子，因此ⅥA族杂质在GaAs中一般起施主作用，相应的半导体为N型半导体，电子导电。 受主杂质 掺ⅡA族元素（Zn、Be、Mg、Cd、Hg）在GaAs中通常都取代ⅢA族元素Ga原子的晶格位置，由于ⅡA族原子比ⅢA族原子少一个价电子，因此ⅡA族杂质在GaAs中一般起受主作用，相应的半导体为p型半导体，空穴导电。; 两性杂质 掺ⅣA族元素(Si、Ge、Sn、Pb)在GaAs中的作用较复杂，可以取代ⅢA族的Ga，也可以取代ⅤA族的As，亦可同时取代二者。因此ⅣA族元素既能起施主作用，也能起受主作用，还可以起中性杂质作用。 占据Ga位，施主，N型； 占据As位，受主，p型 例：在掺Si浓度小于1×1018 cm- 3时，Si全部取代 Ga位而起施主作用，这时掺Si浓度和电子浓度一致； 而在掺Si浓度大于1018 cm- 3时，部分Si原子开始取代As位，出现补偿作用，使电子浓度逐渐偏低。 中性杂质 掺ⅢA族元素(B、Al、In)和ⅤA族元素(P、Sb)在GaAs中分别替代Ga和As，由于杂质在晶格位置上并不改变原有的价电子数，因此既不给出电子也不俘获电子，呈现电中性，对GaAs的电学性质无明显影响。;归纳;（2）晶格中的点缺陷;2.Ⅱ-ⅥA族化合物半导体的杂质和缺陷;;负离子空位 ——产生正电中心，起施主作用;b. 正离子填隙 ——