化工仪表。第二讲.pptVIP

在N型单晶硅片上，用硼扩散法“参杂”形成P型半导体电阻（单向导电），该电阻与金属导体有同样的组值特性； 补充；离子型晶体的电介质（石英，钛酸钡）当受力有机械变形，伴生相应电极化现象（压电现象）。 (两组阻值随被测压力变化的半导体) * 活塞式压力校准系统的结构 a、b、c—切断阀；d—进油阀 1—测量活塞 2—砝码 3—活塞筒 4—螺旋压力发生器 5—工作液 6—压力表 7—手轮 8—丝杠 9—工作活塞 10—油杯 11—进油阀 液柱式 压力计 弹簧管受力分析 第二节 压力检测及仪表 三、电气式压力计 能将压力转换成电信号进行传输及显示的仪表。 组成：传感器、测量线路、信号处理装置等。 压力（P）-电量（E），可以远距离传送。 显示 电 源 测量线路 传感器 压力变送器： 将传感器的输出电量转换为标准电量（4-20mA）。 电气式压力计的分类：传感器：霍尔片式、应变片式、压阻式 变送器：力平衡式、电容式压力变送器 （一） 霍尔片式压力传感器 将压力引起的弹性元件位移，转换成霍尔电势 UH 。 1.工作原理:霍尔效应 霍尔元件:霍尔片，半导体材料，如锗、形状如指甲盖大小、硬币厚度。 Z X Y B I 霍尔片 UH UH=RH?B?I; RH－霍尔常数(与霍尔片的材料和几何尺寸有关)； 在Z轴方向，有恒定磁场，B为磁感应强度； 在Y轴方向，有恒定电流I通过，则在X轴方向上会出现电位差UH(洛伦兹力)； 由此可见：在I、 RH为定值时， UH和B成正比。 注意： 导体的UH远远小于半导体的UH (a)电位器式 (b)霍尔元件式 弹性压力计信号电远传方式 假设I保持一致，RH也选定后，那么将霍尔片置于一个非线性均匀磁场中（所在位置不同，B也不同），当霍尔片放在中心位置时，移动霍尔片 ，使通过霍尔片的发生变化，同时UH的输出也发生相应线性变化。 霍尔片式压力传感器：（霍尔元件与弹簧管自由端相连，如图所示）如果在固定端输入压力P，自由端带动霍尔片在一个线性非均匀磁场中产生位移S。S和B是线性关系，以次类推：B和UH，P和S，则得出被测压力P与霍尔电势UH成正比。 （一） 霍尔片式压力传感器 （二） 应变片式压力传感器 金属导线的电阻 R＝ρ?（L／A)、 ρ－电导率、L－长度、A－截面积； 当应变筒上侧固定，下侧受到向下的“拉力”作用时： r1，随应变筒轴向拉长，而阻值增大； r2，随应变筒径向缩小，而阻值减小； 压力P－△P－ △r－Uab； （二） 应变片式压力传感器 将这两个随压力变化，阻值呈反向（线性）变化的电阻 引入桥路中，电桥测量臂（ba，cd）（如图所示）： 桥路平衡时，r2?R3＝ r1?R4 Uab＝0； （R3＝R4 参比电阻 初始时 r1＝r2） 桥路不平衡时， Uab是r1，r2阻值变化的单值函数， 在一定范围内近似线性。 仪表特点： 固有频率高，动态特性好，可测瞬变压力。 （三） 压阻式压力传感器 在一个直径5mm单晶硅片上扩散4个半导体电阻，且引入桥路中的测量臂（如图所示），测取不平衡电压的输出：A、D垂直，B、C水平（纵向应变）； 仪表特点： a－恒流源供电； b－差动放大（输入△U ）； c－负载接线端子。 当单晶硅片受到垂直作用压力P时， RA ，RD型同时减少， RB ，RC同时增大。 将被测压力引入后，通过膜片转化为Fi，作用与主杠杆下端，则主杠杆有向右偏转趋势，带动矢量机构，将力传递到副杠杆，副杠杆逆时针偏转，带动另一端衔铁上移，改变差动变压器的输出，通过放大，流过反馈动圈，产生反馈力使副杠杆平衡。 P／A＝ Fi ；A－膜片面积； 主杠杆： Fi · L1 ＝ F1 · L2 ； 副杠杆： F2 · L3 ＝ F0 · L4 由此可知，被测压力与反馈力成正比，及与电流I成正比。 典型的自平衡检测仪表（负反馈的工作原理）。 （四） 力矩平衡式压力变送器 （五） 电容式压力变送器 开环检测仪表（压力的变化△P转换为电容的变化△C ） 主要测量差压，引入压力P1，P2，作用与两侧膜片（且两侧膜片面积相等）内侧注入硅油（传导力）， △P＝ P1－ P2 ；推动中间的测量膜片位置变化，这样会改变电容极板间的距离，电容量也随之变化△C1，△C2。 由引线接入测量电路，检测与放大，输出直流信号（4～20mA） 特点： 密封性好，抗震，精度高（0.2级）。 四、压力仪表的选用 （一）选类型（根据测压要求） 1 一般要求 工业上是否要： A 远传变送－电气式 “如前所述” B 自动记录－加记录仪 “关键岗位” C 信号报警－电接点式 “高压锅” （