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扫描电镜背散射电子成像 发布者：飞纳电镜 背散射电子 （BSE ）是由弹性散射产生的。当主电子束中的电子接近样品中的原子核时， 受到原子核中正电荷的作用力，它们的运动轨迹发生了偏离。背散射电子的产率取决于原 子核的大小。BSE 图像对比度反应了样品表面的成分衬度。在这篇博客中，会介绍背散射 电子系数，并解释它是如何受到样品倾斜度和入射电子束能量的影响。 背散射系数 背散射电子是由入射电子束中入射电子的弹性散射产生的，其能量大于 50eV ，在飞纳电镜 之前的一篇博客中解释过。背散射电子数量产生取决于许多因素，包括样品中材料的原子 序数和电子束的加速度电压。 电子束与样品相互作用产生的背散射电子的数量被称为背散射系数 η ，定义为背散射电流 （IBSE ）和探针电流（IP ）的比值： 其中 EB 是背散射电子的排出能量。背散射系数受加速电压、原子序数 Z 以及样品表面与 入射电子束的夹角的影响。