沉铜线作业指导书.docVIP

德顺（江门）电子有限公司 DE SHUN (JIANGMENSHI )ELECTRONIC Co.,Ltd PAGE PAGE 1 文件编号 DS-SP-PE01 标题 工艺作业指引书 版 次 1 发行日期 2012-3-22 制定部门 工艺部 页数 9 退膜、蚀刻操作指引书 版 本 审 批 栏 受 控 印 章 栏 A 编 制 人 : 韦 虎 军 审 核 : 批 准 : 发送一览表“（ √ ）”注明发送部门 ( √ ) 厂 长 ( √ ) 工程部 ( √ ) 品质部 ( √ ) 生产部 ( √ ) 工艺部 ( √ ) 财务部 ( √ ) 物控部 ( √ ) 维修部 ( √ ) 市场部 1.0目的 为PCB的生产操作、过程控制等过程提供标准依据，指导操作员工正确操作，保证品质。 2.0 适用范围 本操作指引适用于垂直化学沉铜制作流程。 3.0 职责权限 生产部：执行日常操作、控制工艺参数、生产中出现问题及时进行处理、日常保养并做好相应记录。 工艺部：负责为流程工艺问题解决和提供技术支持。 维修部：负责为生产设备提供保养及维修服务和新设备安装，调试。 品质部：负责流程参数的监控，指导员工操作及测试仪器和调校。 仓库部：负责提供合格的物料。 4.0作业流程 工艺(作业)流程 上板→膨松→双逆流漂洗→除胶渣（凹蚀）→回收水洗→顶喷水洗→溢流水洗→预中和→双逆流漂洗→中和→双逆流漂洗→除油→热水洗→双逆流漂洗→微蚀→双逆流漂洗→酸洗→双逆流漂洗→预浸→活化→双逆流漂洗→加速→双逆流漂洗→沉铜→双逆流漂洗→下板→放入2%的稀硫酸液浸泡。 流程说明 膨松：膨松及软化基材使易于被KMnO4咬蚀。 除胶：通过KMnO4对基材及胶渣的蚀刻作用以清除钻孔留下的胶渣并使孔壁粗化﹐以利于钯的吸附﹐增强化学铜的结合能力。 回收：对凹蚀液进行回收再利用。 预中和：调整铜面及保护中和槽液 中和: 清除除胶渣后的残液﹐并除去孔内及版面上残留下之高价锰﹐确保孔壁为最佳状态。 除油：清洁孔壁表面并调整其电荷，使催化剂易于吸附。 热水洗：防止除油温度过高，保护板的伸缩性。 微蚀：蚀刻孔壁内层及板面的铜层，增强电镀铜层与基材铜层的结合力。 酸洗：清除微蚀液中的微量元素。 预浸：调整铜面及保护活化槽液。 加速（解胶）：除去胶体钯颗粒外面包围的亚锡离子，使胶体颗粒中的钯核暴露出 来，以直接有效催化启动化学沉铜反应。 活化：使孔壁附着上胶体钯，活化非导电的孔壁，以催化后面化学铜的沉积。 加速： 沉铜：通过催化钯之作用，使在孔壁及铜面沉积一层细致的铜层为电镀加厚铜提供导电基体。 5.0 作业参数 垂直PTH参数控制总表 流程 控制项目 控制点 控制范围 检查频率 膨松 NaOH 0.85N 0.16—0.2N 1次/班 SW-01(强度) 40% 35—45% 1次/班 温度 70℃ 65—75℃ 1次/班 除胶 高锰酸钾 55g/L 50--60 g/L 1次/班 K2MnO4 ≤25 g/L ≤25 g/L 1次/班 NaOH 1.0N 0.9—1.1N 1次/班 温度 75℃ 65--85℃ 1次/班 再生电流 250A 250±50A 1次/班 机械搅拌 运转正常 运转正常 1次/班 打气 开启 开启 1次/班 预中和 H2O2 2% 1—3% 1次/班 H2SO4 2% 1—3% 1次/班 Cu2+ ≤20 g/L ≤20 g/L 1次/班 温度 25℃ 20--30℃ 1次/班 中和 N-03 100% 80%--100% 1次/班 H2SO4 2.7N 1.8N-3.6N 1次/班 温度 40℃ 35--45℃ 1次/班 除油 CD-121 100ML/L 80-120ML/L 1次/班 超声波电流 2A 2.5±0.5A 1次/班 温度 60℃ 55--65℃ 1次/班 微蚀 H2SO4 4% 2—5% 1次/班 SPS 100g/L 75—120 g/L 1次/班 Cu2+ 3--25 g/L ≤25 g/L 1次/班 温度 25℃ 20±5℃ 1次/班 打气 开启 开启 1次/班 酸洗 H2SO4 3% 2-4% 1次/班 预浸 PD-130A 200G/L 波美度：15-18 1次/班 过滤机