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第一部分填空题
第一章
1、 衡量传感器静态特性的重要指标是灵敏度、线性度、迟滞、重复性等。
2、通常传感器由__敏感元件__、__转换元件____、_转换电路____三部分组成, 是能把外界_非电量_____转换成___电量___器件和装置。
3、仪表的精度等级是用仪表的___引用误差____来表示的。
4.传感器的__标定___是通过实验建立传感器起输入量与输出量之间的关系,并确定不同使用条件下的误差关系。
5.测量过程中存在着测量误差,按性质可被分为 粗大 、 系统 和随机误差三类,其中 随机误差 可以通过对多次测量结果求平均的方法来减小它对测量结果的影响。
第二章
1、金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化,这种现象称__应变_____效应;半导体或固体受到作用力后_电阻率______要发生变化,这种现象称__压阻_____效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同,圆弧部分使灵敏度下降了,这种现象称为____横向___效应。
2、在压阻式传感器的测量桥路中,补偿灵敏度温漂可以利用在电源回路__串联二极管____的方法实现。
3、产生应变片温度误差的主要因素有_电阻温度系数的影响、_试验材料和电阻丝材料的线性膨胀系数的影响_。
4.应变片温度补偿的措施有___电桥补偿法_、_应变片的自补偿法_。
5. 在电桥测量中,由于电桥接法不同,输出电压的灵敏度也不同,_全桥__接法可以得到最大灵敏度输出。
6.半导体应变片工作原理是基于 压阻 效应,它的灵敏系数比金属应变片的灵敏系数 大十倍 。
7、电阻应变片的配用测量电路采用差动电桥时,不仅可以消除 非线性误差 同时还能起到 温度补偿 的作用。
第三章
1.变间隙式自感传感器的_测量范围_和_灵敏度及线性度_是相互矛盾的,因此在实际测量中广泛采用_差动_结构的变隙电感传感器。
2.电感式传感器是利用被测量改变磁路的_磁阻_,导致_线圈电感量_变化的。 磁电式传感器是利用_电磁感应现象_产生感应电势的。而霍尔式传感器是利用__半导体_在磁场中的电磁效应(霍尔效应)而输出电势的。
3. 电感式传感器种类很多。虽然结构形式多种多样,可分为__变气隙式_、_变面积式_、_螺线管式_三种结构。
4.电涡流传感器根据激励电流频率的高低,可以分为_高频反射式_、_低频透射式_两种。
5、螺线管式差动变压器式传感器理论上讲,衔铁位于中心位置时输出电压为零,而实际上差动变压器输出电压不为零,我们把这个不为零的电压称为___零点残余______________电压;利用差动变压器测量位移时,如果要求区别位移方向(或正负)可采用__相敏检波____电路。
6、电容传感器的输入被测量与输出被测量间的关系,除_变极距型_____外是线性的。
7、产生电涡流效应后,由于电涡流的影响,线圈的等效机械品质因数 下降 。
8、把被测非电量的变化转换成线圈互感变化的互感式传感器是根据??变压器?????? 的基本原理制成的,其次级绕组都用?反向串联?? 形式连接,所以又叫差动变压器式传感器。9、变隙式差动变压器传感器的主要问题是灵敏度与????? 测量范围 ??? 的矛盾。这点限制了它的使用,仅适用于????微小位移?? 的测量。10、变气隙式自感传感器,当街铁移动靠近铁芯时,铁芯上的线圈电感量 增加 (①增加,②减少)。
11.差动脉冲宽度调制电路适用于 变极距 型和 变面积型 差动电容传感器,且为线性特性。
第四章
1、在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称___外光电_________效应;入射光强改变物质导电率的现象称__光电导__________效应;半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动势的效应称____光生伏特______效应。
2、光栅传感器中莫尔条纹的一个重要特性是具有位移放大作用。如果两个光栅距相等,即W=0.02mm,其夹角θ=0.1°,则莫尔条纹的宽度B=__11.46 mm______。
3、电荷耦合器件的基本功能__实现信号电荷的转换存储与转移信息电荷_____。
4.有一直线光栅,每毫米刻线数为 100 线,主光栅与指示光栅的夹角θ=1.8 °列式计算:栅距 W =__0.01____mm ; 莫尔条纹的宽度 L =_0.32 mm。
5.光纤是由折射率n1高的___纤芯_______和折射率n2低?的_包层________构成的双层同心圆结构。某光纤n1=1.64,n2=1.45,其数值孔径NA为__arcs
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