2015第1次课 第一章 绪论.pptxVIP

半导体异质结物理 Physics of Semiconductor Heterojunction;第一章 绪论;通信：传递信息，烽火台，邮驿; (i) semiconductors have electrical resistivity in the range between those of typical metals and typical insulators (i.e., between about 10-4 and 10-10 Wcm ） (ii) they usually have negative temperature coefficient of resistance, (iii) the electrical conductivity of semiconductors can be varied (in both sign and magnitude) widely as a function of, e.g., impurity content (e.g., doping, temperature, excess charge carrier injection, and optical excitation. ;1833年：M.Faraday发现半导体所具有的负电阻温度系数 1873年：W.Smith 首次发现半导体的光电导效应 1874年：F.Braun 首次发现半导体的整流效应 1947年：Bardeen, Brattain, Shockley 制造了第一个晶体管：锗点接触三极管 (1956年，获Nobel Prize) 1949年：提出了PN结晶体管的理论 1951年：W.Shockely用扩散技术制造了晶体管 1958年 L. Esaki 研制出隧道二极管 1962-63年 N. G. Basov 研制出半导体激光器 1963年 H. KroemerZ. Alferov提出异质结激光器 1969-70年 L. Esaki R. Tsu 提出半导体超晶格 1993年 S. Nakamura 研制出高亮度GaN蓝光发光二极管 ;第一代半导体材料，以Si、Ge为代表 集成电路的主要材料,技术上最成熟，代表人类物质文明的最高水平,广泛应用于计算机和各种电子产品. 第二代半导体材料，以GaAs、InP为代表 光电子器件，LED和LD,光通信,微波功率器件和电路 第三代半导体材料，以GaN、SiC为代表 短波光电子器件，蓝、白光LED，蓝紫光LD,高温、高频、高功率电子器件,高场高功率电力电子器件;Which Materials Are “Semiconductors”?;Which Materials Are Semiconductors?;;Band Diagram;第五节. 半导体的掺杂;Intrinsic Material（本征）;n型材料;P型材料;载流子的统计分布;球形等能面导带底状态密度(假设导带底在k=0处); 状态密度gC（E）和gV（E）与能量E有抛物线关系，还与有效质量有关，有效质量大的能带中的状态密度大。;例 计算三维系统在0.1eV能量时的的状态密度;1、费米分布函数 电子遵循费米-狄拉克（Fermi-Dirac）统计分布规律。能量为E的一个独立的电子态被一个电子占据的几率为: ;;T0 时，电子???得一定热能，可以跳到高能级，意味着电子的分布发生了变化。;T0: 1/2 f(E)1,当EEF时 f(E)=1/2, 当E=EF时 0 f(E)1/2,当EEF时;;1960年前后，最早由 H.Kroemer和 Zh.I.Alferou 等提出异质结构的概念。 阿耳费罗夫与克勒默(Kroemer)分享2ooo年诺贝尔物理学奖。 ;;异质结概念;异质结： 由不同半导体材料构成的结。 同型异质结 (nN, pP) 异型异质结 (nP or pN);应用1：能带错开可以用来将载流子限制在所需的区域。 例如半导体激光器中的双异质结。;应用2：通过选择异质结两边的材料，可以控制在发光的区域（直接禁带材料）、吸收光的区域和透明的区域（窗口层）。;应用3：异质结两边具有不同折射率的材料，可以用来构成波导，将光限制在选择的区域。;应用4：半导体超晶格;应用5：量子阱;外延生长： 1液相外延 2气相外延：MOCVD 3分子束外延（MBE）;P-AlGaN capping layer