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PN结的瞬态特性 姓名：吕雪 专业：集成电路工程 PN结的瞬态特性 p-n结具有单向导电性，可以作为开关使用。 理想状态下瞬态特性： 打开的瞬间应立即出现稳态电流，关断的瞬间电流应立即消失。 从正向偏置到反向偏置（或反过来）的响应时间过渡为突变的。 ·瞬态开启特性 ·瞬态关断特性 瞬态关断特性 正偏时，电子从n区注入到p区，空穴从p区注入到n区，在耗尽层边界有少子的积累。导致p-n结内有等量的过剩电子和空穴——电荷的存储。 突然反向时，这些存储电荷不能立即去除，积累电荷消除有两种途径：复合和漂移。都需要经过一定的时间, p-n结才能达到反偏状态，这个时间为反向恢复时间。 耗尽区边缘外，不同时刻少数载流子的分布 谢谢观赏！ * * * 瞬态开启特性 瞬态电流响应 电压—时间响应 在响应的第一阶段，即PN结开启过程极其短暂，只要有少数几个少子的注入，就能使结从反偏恢复到热平衡状态。多数载流子也迅速再分布使耗尽区缩小到零偏的宽度。 在瞬态开启期间，PN结内部将有存储电荷的积累。 将二极管由正偏变为反偏的简单电路 瞬态关断特性 瞬态电流响应 瞬态结电压响应 由正向偏置到反向偏置的瞬态响应 存储时间 反向恢复时间 下降时间 瞬态关断特性—存储延迟的定性分析 瞬态关断特性—存储延迟的定性分析 引起反向恢复过程的原因是，P-N结在正向导通期间存储在 中性区中的非平衡少子电荷Q 。 存储过程 下降过程 瞬态关断特性—存储延迟的定量分析 ·存储时间ts的计算 以P+N结N型一侧为例，由连续性方程得： 存储电荷的消失有两个途径： 反向电流 Ir的抽取和空穴的复合 初始条件：当t=0时，Q(0)=τpIf，则此微分方程的解为 瞬态关断特性—存储延迟的定量分析 ·存储时间tS的计算 由t=ts时，Q(ts)=0,可令上式等于0，求解出ts： ·下降时间tr的计算 tr的解由超越方程给出： 瞬态关断特性—存储延迟的定量分析 得出结果： （1）材料长度WLp时： （2）WLp时： ·减小反向恢复时间trr的方法： （1）从电路上，采用尽量小的If和尽量大的Ir。 （2）从器件本身，降低少子寿命τp。 （3）减薄轻掺杂一侧中性区的厚度。 * *
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