第十一章 掺杂.pptVIP

半导体制造技术西安交通大学微电子技术教研室第十一章 掺 杂 目 标 通过本章的学习，将能够： 1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 对离子注入有一个总体认识，包括它的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用。 半导体制造常用杂质 具有掺杂区的CMOS结构 CMOS 制作中的一般掺杂工艺 硅片中的掺杂区 扩 散 扩散原理 三个步骤 预淀积 推进 激活 掺杂剂移动 固溶度 横向扩散 扩散工艺 硅片清洗 杂质源 扩散的概念 扩散是一种自然界及以发生的现象，扩散的发生需要两个必要的条件：浓度差；过程所必须得能量。 掺杂区和结的扩散形成 扩散后的晶园剖面图 硅中的杂质扩散 固态扩散的目的 在晶园表面产生一定数量的掺杂原子（浓度） 在晶园表面下的特定位置处形成NP(或PN)结 在晶园表面层形成特定的掺杂原子(浓度)分布 结的图形显示 理想的 横向扩散 浓度随深度变化的曲线 扩 散 工 艺 完成扩散过程所需的步骤： 1. 进行质量测试以保证工具满足生产质量标准； 2. 使用批控制系统，验证硅片特性；. 3. 下载包含所需的扩散参数的工艺菜