第十一章 金属淀积.pptVIP

第十一章 金属淀积;金属化工艺的作用 金属化：在绝缘介质膜上淀积金属膜以及随后刻印图形形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。 对未来的集成电路微芯片，互连技术已成为关键技术。 为提高电路速度与集成度，应尽可能缩短互连线，或采用多层金属化系统，或减小金属电阻率——铜代替铝作为互连金属，对深亚微米线宽，利用低k层间介质。;11.1金属化的专门术语 互连（interconnect)指由导体材料如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分。也被用于芯片上器件和整个封装之间的金属连接。 接触（contact）指芯片内部的器件与第一金属层间在硅片表面的连接。 通孔（via）指穿过各种介质从某一金属层到毗邻金属层形成电通路的开口。;填充薄膜：指用金属薄膜填充通孔，以便在两层金属间形成电连接。 合金化（alloying）指为了确保金属和晶片之间具有较好的导电性能，经常在金属的光刻之后加入一个热处理步骤。 ;集成电路对金属化的基本要求 (1)对N+、P+硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触，即金属／硅 接触电阻要小； (2)能提供低阻的互连引线，从而有利于提高电路速度； (3)在长时期的较高电流密度负荷下，金属材料的输运问题(电迁移现象)不致引起金属化引线的失效，即抗电迁移性能要好； ;(4)与绝缘体(例如Si02)有良好的附着性； (5)耐腐蚀； (6)易于淀积和刻蚀； (7)易于键