第三章-光刻与刻蚀.pptVIP

湿法刻蚀 * 二氧化硅刻蚀： BOE: Buffered-Oxide-Etchant (40%NH4F:49%HF=6:1) 湿法刻蚀 * 氮化硅刻蚀： 刻蚀条件：180oC,浓度为91.5% 刻蚀选择比：对热氧: 10:1；对Si：33:1 刻蚀速率：10nm/min 湿法刻蚀 * 酸性溶液(Freckle)刻蚀硅： 可用于刻蚀单晶硅，多晶硅（10nm/min）； 室温下刻蚀； 总反应： 湿法刻蚀 * 碱性溶液刻蚀硅： TMAH 常用刻蚀温度为80oC； 刻蚀各向异性(anisotropic)； TMAH刻蚀对SiO2有非常高的选择比； 刻蚀速度： KOH 1um/min 25%TMAH 0.3um/min 硅的湿法刻蚀 * 薄膜 刻蚀速率： (100): (110): (111) =100: 16: 1 硅的湿法刻蚀 * 可用于制备亚微米尺寸器件; 湿法刻蚀 * 金属的刻蚀: 湿法刻蚀 * 金属的刻蚀: 1) Al-2%Si的刻蚀 2) Cu的刻蚀 湿法刻蚀 * Cu的刻蚀: Damascene Technology 湿法刻蚀 * GaAs的刻蚀: H2SO4-H2O2-H2O或H3PO4-H2O2-H2O 总反应方程式： 各向异性比值: * 光刻胶 干法刻蚀/等离子体辅助刻蚀 * 等离子体： 具有相等数量正电荷和负电荷的离化气体；