第9章 VDMOSFET的设计及仿真验证.ppt

* */125 仿真结果 优化前的击穿曲线 优化前的电场分布 浙大微电子 * */125 参数优化 由于仿真值与实际流片测试值会有偏差，需要有10%的 裕量。即对于本款200V器件，终端结构的击穿电压仿真值需 要大于220V。同时，为了保证终端结构击穿电压的稳定性， 增加一个场限环，即4个场限环，且最终选定环间距为6.5um、 6.5um、6.5um、7.0um。 优化后的电场分布图与击穿曲线分别如下图所示。 浙大微电子 * */125 参数优化 浙大微电子 * */125 本章内容 VDMOSFET概述 VDMOSFET元胞设计 VDMOSFET终端结构设计 VDMOSFET ESD防护结构设计 浙大微电子 * */125 ESD现象概述 根据ESD 产生的原因及其对集成电路放电的不同方式， 通常将静电放电事件分为以下三种模型： （1）人体模型（Human Body Model，HBM） （2）机器模型（Machine Model，MM） （3）充电器件模型（Charged Device Model，CDM） HBM, MM和CDM模型下的ESD等效电路图 浙大微电子 * */125 VDMOSFET中的ESD防护结构设计 目前，应用于VDMOS器件的ESD结构已经引起 了广泛的研究，常用的ESD保