第8章光刻与刻蚀工艺.ppt

第8章 光刻与刻蚀工艺 光刻与刻蚀的定义 光刻技术在IC流程中的重要性 ULSI中对光刻的基本要求 半导体工业中的洁净度概念 尘埃粒子的影响： 粒子1：在下面器件层产生针孔 粒子2：妨碍金属导线上电流的流动 粒子3：导致两金属区域短路，使电路失效 洁净度等级： 英制：每立方英尺中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒子总数不超过设计等级（如英制等级100） 公制：每立方米中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒子总数不超过设计等级（以指数计算，如等级M3.5，则粒子总数不超过103.5个） §8.1 光刻工艺流程 硅片清洗 预烘及涂增强剂 涂胶 前烘 掩模版对准 曝光 曝光后烘培 显影 后烘及图形检测 刻蚀 刻蚀完成 去胶 离子注入 快速热处理及合金 预烘及涂增强剂 去除硅片表面的水分 增强与光刻胶的黏附力（亲水性，疏水性） 温度一般为150～750℃之间 可用涂覆增强剂（HMDS，六甲基乙硅氮烷）来增加黏附性 涂胶（旋涂法） 目的：形成厚度均匀、附着力强、没有缺陷的光刻胶薄膜 方法：旋涂法 旋涂 光刻胶膜的质量 质量指标： 膜厚（光刻胶本身的黏性、甩胶时间、速度） 膜厚均匀性（甩胶速度、转速提升速度） 气泡，灰尘等粘污情况（超净工作台，红、黄光照明） 前烘 目的： 使胶膜内溶剂充分挥发，干燥，降低灰尘污染 增加胶膜与下层膜的黏附性及耐磨性 区分曝光区和未曝光区的溶解速度 方法： 干