第一章薄膜及其特性-修改.ppt

第一章 薄膜及其特性 1.1 薄膜的几种定义 薄膜材料可用各种单质元素及无机化合物或有机材料来制作薄膜，也可用固体、液体或气体物质来合成。 薄膜与块状物体一样，可以是单晶、多晶、微晶、纳米晶、多层膜、超晶格膜等。 Crystalline material is a material comprised of one or many crystals. In each crystal, atoms or ions show a long-range periodic arrangement. Single crystal is a crystalline material that is made of only one crystal (there are no grain boundaries). Grains are the crystals in a polycrystalline material. Polycrystalline material is a material comprised of many crystals (as opposed to a single-crystal material that has only one crystal). Grain boundaries are regions between grains of a polycrystalline material. 薄膜的生长模式可归纳为三种形式： （1）岛状生长模式（Volmer-Weber模式）： 特点：到达衬底上的沉积原子首先凝聚成核，后续飞来的沉积原子不断聚集在核附近，使核在三维方向上不断长大而最终形成薄膜。 这种类型的生长一般在衬底晶格和沉积膜晶格不相匹配时出现，大部分的薄膜的形成过程属于这种类型。 成膜初期按三维形核方式，生长为一个个孤立的岛，再由岛合并成薄膜。例如SiO2基片上的Au薄膜。这一生长模式表明，当沉积物中的原子或分子彼此间的结合较之与基片的结合强很多时（即被沉积物质与衬底之间的浸润性较差），就会出现这种生长模式。在绝缘体、卤化物晶体、石墨、云母基片上沉积金属时，大多数显示出这一生长模式。 薄膜生长的四个阶段 a)成核：在此期间形成许多小的晶核，按统计规律分布在基片表面上； b)晶核长大并形成较大的岛：这些岛常具有小晶体的形状； c）岛与岛之间聚接形成含有空沟道的网络； d）沟道被填充：在薄膜的生长过程中，当晶核一旦形成并达到一定尺寸之后，另外再撞击的离子不会形成新的晶核，而是依附在已有的晶核上或已经形成的岛上。分离的晶核或岛逐渐长大彼此结合便形成薄膜。 （2）层状生长模式（Frank-van der Merwe模式）： 特点：沉积原子在衬底的表面以单原子层的形式均匀地覆盖一层，然后再在三维方向上生长第二层、第三层┅┅ 一般在衬底原子与沉积原子之间的键能接近于沉积原子相互之间键能的情况下发生这种生长方式的生长。 从成膜初期开始，一直按二维层状生长，例如Si基片上的Si薄膜。当被沉积物质与衬底之间浸润性很好时，被沉积物质的原子更倾向于与衬底原子键合。因此，薄膜从形核阶段开始即采取二维扩展模式。在这一生长模式中，原子或分子之间的结合要弱于原子或分子与基片的结合。这一生长模式的最重要的例子是半导体膜的单晶生长。 （3）层岛复合模式（Stranski-Krastanov模式）： 特点：生长机制介于岛状生长型和层生长型的中间状态。当衬底原子与沉积原子之间的键能大于沉积原子相互之间键能的情况下多发生这种生长方式的生长。 在成膜初期，按二维层状生长，形成数层之后，生长模式转化为岛状模式。例如Si基片上的Ag薄膜。在金属基片上沉积金属膜、半导体基片上沉积金属膜的系统中已观察到这一生长模式。 1.3 薄膜材料的分类 按薄膜的功能及其应用领域大致可分类如下： （1）电学薄膜 ①半导体器件与集成电路中使用的导电材料与介质薄膜材料 Al、Cr、Pt、Au、多晶硅、硅化物薄膜；SiO2、Si3N4、 Al2O3 、Ta2O5、SiOF等薄膜。 Insulation/dielectrics/passivation materials SiO2 (Silicon dioxide), Si4N3 (Silicon nitride), Al2O3 (Aluminium oxide), Ta2O5 (Tantal oxide) ②超导薄膜 YBaCuO系高温超导薄膜； BiSrCaCuO系高温超导薄膜； TlBaCuO系高温超导薄膜。 ③光电子器件中使用的功能薄膜 GaAs/GaAlAs、HgTe/CdTe、a-Si:H、a-SiGe:H、a-SiC:H、a-SiN:H、a-Si/a-SiC等一系列晶态与