硅集成工艺 期末复习.docVIP

PAGE PAGE 4 复习 1、硅片制备的四个阶段 制造IC级的硅晶圆分四个阶段进行： 矿石到高纯气体的转变 气体到多晶的转变 多晶到单晶，掺杂晶棒的转变 晶棒到晶圆的制备 2、如何通过硅片滚磨定形来判断其类型 3、硅片清洗任务有哪些？ 三道防线: 净化环境（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） 硅片清洗的基本任务 粒子 金属杂质 有机物 表面微粗糙度 （栅氧化层厚度小于100埃） 自然氧化层 栅氧化／外延前的最后一步清洗 4、典型的湿法清洗工艺流程 5、二氧化硅的性质（P21）和用途，常见的介质薄膜还有？ 硅工艺中的一系列重要硅基材料： SiO2：绝缘栅/绝缘/介质材料； Si3N4：介质材料，用作钝化/掩蔽等； 多晶硅：可以掺杂，导电； 硅化物：导电，作为接触和互连…… SiO2的主要性质 密度 2.20g/cm3 SiO2致密程度的标志 折射率 1.46 密度大，折射率大 电阻率 1016 欧姆.cm 与制备方法，掺杂有关 介电强度 106-107 V/cm 介电常数 表征电容性能的一个重要参数 腐蚀 SiO2+6HF?H2(SiF6)+2H2O 6、什么是线性氧化和抛物线氧化极限 7