CuInxGa1xSe2和Cu2Z亮nSnSSe4太阳能电池薄膜的实验与理论研究.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘要Cu(InxGal 摘要 Cu(InxGal．x)Se2和Cu2ZnSn(S／Se)4太阳能电池是多元化合物半导体材料中最具代表 性的光伏器件，它们具有成本低、性能稳定，转换效率高等优点而成为国际光伏界研究 的热点之一。Cu(InxGal．x)Se2太阳能电池经过30多年的发展，其最高转换效率己达到 20·3％，但这种电池的产业化依然没有形成一定的规模，其主要困难在于吸收层 Cu(InxGal．x)Se2的制备。吸收层的质量好坏对整个太阳能电池效率有重要的影响。由于 CIGS薄膜中In和Ga是稀有金属，相对来说比较昂贵，所以人们又去寻找新的可替代 In和Ga的元素。CuzZnSnS4(CZTS)干／]Cu2ZnSnSe4(CZTSe)目前被认为是很有前景的替 代性材料，我们先用第一性原理计算了CZTS／Se的电子结构和光学性质，为进一步实验 提供了理论基础。 为此本文工作主要分为两个部分，～是用磁控溅射多靶共溅射方法制备了CIGS薄 膜，利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和原子力显微镜 (AFM)分别研究了沉积参数对CIGS薄膜的晶体结构、表面形貌和成分比例的影响：并探 索了CIGS薄膜太阳能电池背电极层、缓冲层和窗口层的工艺条件。二是采用基于密度 泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)的PBE平面波