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第8章: 二极管、晶体管和场效应管 任课教师：贠素君 办公室: 物电院322室 【例8.3.1】图8.3.3所示电路中，ui=10 sin314 t V，E=5 V，当1、2端开路时，画出uD、uR、uo的波形图。　 　 【例8.3.2】图8.3.5所示电路中，试求下列几种情况下输出端Y的电位Vo及各元件中的电流: 　(1) VA=+6 V，VB=+4 V; (2) VA=+6 V， VB=+5.5 V。设二极管为理想二极管。 　 (2) 当VAVB时，VDA抢先导通，如果VDB不导通， 则Vo=4.8 V，但现在VDB=5.5 V，所以可以认为VDA、VDB均导通，则 【例8.4.1】图8.4.3中，通过稳压管的电流IZ等于多少？ R是限流电阻，其值是否合适？ 　 此时VBVo，与假设吻合，说明VDB也导通。这时有:　 8.4 稳压二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 稳压管与二极管的主要区别 稳压管运用在反向击穿区， 二极管运用在正向区； 稳压管比二极管的反向特性更陡。 图8.4.3 例8.4.1图 IZIZM，电阻值合适。 解 8. 5 晶体管 8.5.1、 基本结构 8.5.2、 工作原理 8.5.3、 特性曲线 8.5.4、 主要参数 由两个PN结构成的 具有电流放大作用和开关作用 的半导体器件 1.晶体管的分类 频率：高频管、低频管 功率：小、中、大功率管 材料：硅管、锗管 结构：平面型、合金型 类型：NPN型、PNP型 8.5.1 基本结构 2、 基本结构 NPN型 B E C 基极 发射极 集电极 N N P PNP型 P P N B E C 发射极 集电极 基极 由两个PN结组成 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区： 尺寸面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C 基极 发射极 集电极 N N P 发射结 集电结 三个区、三个极、两个结 8. 5. 2 晶体管的工作原理 一、放大状态 1. 三极管放大的内部条件 （1）发射区高掺杂 (故管子e、 c极不能互换) （2）基区很薄(几个?m) 2. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏 VCVB VE VCVB VE B（P） C（N） IB IE IC NPN型三极管 E（N） IB IE IC PNP型三极管 C（P） B（N） E（P） * * 电工电子技术 第8章 二极管、晶体管和场效应管 8.3 半导体二极管 8.4 稳压二极管 8.5 晶体管 8.2 PN结及其单向导电性 8.1 半导体的导电特性 8.1 半导体的导电特性 1、半导体基础知识 半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质， 例如硅Si、锗Ge、砷化镓GaAs 和一些硫化物、金属氧化物等。 导 体：电阻率 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 绝缘体：电阻率 ?· cm 物质。如橡胶、塑料、云母、陶瓷等。 2、半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。 (可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 8.1.1 本征半导体 1、完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体, 如锗、硅、硒。 图8.1.1 晶体中原子的排列方式 图8.1.2 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 8.1.3　本征半导体中的自由电子和空穴 自由电子 空穴 若 温度 T ? ，将有少数价电子克服共