第8章光刻工艺概述4.pptVIP

* * 8.4 显影 如图所示，首先在静止的晶圆表面上覆盖一层显影液，停留一段时间（吸盘加热过程），在此过程中，大部分显影会发生反应，然后旋转，并有更多的显影液喷到晶圆表面，最后进行冲洗和干燥。 * * (d) Spin dry (c) DI H2O rinse (b) Spin-off excess developer (a) Puddle dispense Developer dispenser Puddle formation 光刻胶显影参数 显影温度：15-25度，对正胶来说，显影温度越低，光刻胶溶解度越大。负胶反之 显影时间：显影时间不能过长，显影液会一直和光刻胶反应，避免过腐蚀 显影液总量：根据光刻胶总量确定显影液容量 * * * * 8.4 显影 干法显影 液体工艺的自动化程度不高，并且化学品的采购、存储、控制和处理费用昂贵，取代液体化学显影的途径是使用等离子体刻蚀工艺，该工艺现已非常成熟。在此工艺中，离子从等离子体场得到能量，以化学形式分解暴露的晶圆表面层。干法光刻显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的之一易于被氧等离子体去除。 * * 8.5 坚膜显影 显影后还需要一次烘焙，称为坚膜烘焙。 烘焙的作用是蒸发湿法显影过程中吸收在光刻胶中溶液，增加光刻胶和晶圆表面的粘结能力，保证下一步的刻蚀工艺得以顺利进行。 方法 在方法和设备上与前面介绍的软烘焙相似。 * * 8.5 坚膜显影 烘焙工艺 时间和温度仍然是主要的工艺参数，一般是制造商推荐，工艺工程师精确调整。 一般使用的对流炉 温度：130～200℃ 时间：30分钟 对其他方法温度和时间各不相同。热烘焙增加粘度的机理是光刻胶的脱水和聚合，从而增加光刻胶的耐蚀性。 * * 8.5 坚膜显影 烘焙温度太低，脱水和聚合不彻底，温度太高光刻胶容易变软甚至流动（如图所示），所以温度的控制极为严格。 * * Photoresist * * 8.5 坚膜显影 坚膜烘焙是在显影后立即进行，或者在刻蚀前进行，工艺流程如图所示。通常来说，坚膜的温度对于正胶是130度。对负胶是150度 * * 8.6 显影检验 显影检验 任何一次工艺过后都要进行检验，经检验合格的晶圆流入下一道工艺，对显影检验不合格的晶圆可以返工重新曝光、显影。工艺流程如图所示。 * * 1. Vapor prime HMDS 2. Spin coat Resist 3. Soft bake 4. Align and expose UV light Mask 5. Post-exposure bake 6. Develop 7. Hard bake 8. Develop inspect O2 Plasma Strip and clean Rejected wafers Passed wafers Ion implant Etch Rework * * 8.6 显影检验 显影检验的内容 图形尺寸上的偏差 定位不准的图形 表面问题（光刻胶的污染、空洞或划伤），以及污点和其他的表面不规则等。 * * 8.6 显影检验 检验方法 人工检验 自动检验 * * * * 8.6 显影检验 人工检验次序和内容 * * 8.6 显影检验 自动检验 随着晶圆尺寸增大和元件尺寸的减小，制造工艺变得更加繁多和精细，人工检验的效力也到了极限。 可探测表面和图形失真的自动检验系统成了在线和非在线检验的选择。 * * 思考题 常用的显影方法有哪些？正胶和负胶对显影技术要求有哪些不同？为什么？ * 第8章 光刻工艺概述 * * 8.4 后烘焙和显影 8.5 后烘焙 * * 8.4 后烘焙和显影 完成对准和曝光之后，掩模版的图形已经转移到光刻胶中。接下来要进行两项内容: 后烘焙 显影 早期光刻技术中,光刻胶的显影是一个独立的工艺步骤,有特定的设备. 如今的自动