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薄膜材料与薄膜技术 第三章 薄膜的物理制备方法（3） 薄膜材料与薄膜技术 第三章 薄膜的物理制备方法（3） 三、外延 外延指的是在晶体衬底上沿原来的晶向生长同质或异质晶体材料。例如：在低阻Si上生长高阻Si薄层，或反之；在Si衬底上外延生长Ge薄层，或在Ge上生长GaAs晶体薄层等。 外延薄层的成功生长主要决定于： 1. 衬底晶体晶格常数与外延晶体晶格常数的匹配； 2. 衬底晶体的外延表面是否清洁、完整； 3. 外延过程的稳定、均匀。 为此，在衬底和外延材料选定后，必须对衬底材料表面做必要的清洗，并且根据外延层的厚薄，选择合适的外延方法。主要方法有：气相、液相、MBE、低压、MOCVD等。 常规外延（气相外延） 常规的气相外延系统如下图所示。在集成电路工艺中的主要外延材料为Si。主要使用SiH4或SiCl4的分解反应。常用做同质外延，速率高，成本低，工艺成熟。常用清洗气体为HCl。 分子束外延（MBE） 分子束外延是一种最新的外延技术，利用特殊的蒸发手段产生分子束，在超高真空腔体内，对洁净衬底表面实现分子层级的极低速外延，获得纳米级的高质量同质或异质外延层。通常，在外延的同时，还可以随时完成结构、厚度等的超微分析。设备价格和维护成本极高，常用于薄膜材料、特种器件等的前沿性研究。 实际装置 外延、分析腔体 3. 液相外延 液相外延是指将含有待外延材料的饱和溶液与待外延基片在系统中分离,利用适当的手段: 倾斜、浸入、滑动等方法，使待外延表面与溶液接触，并以适当的速度冷却。经适当的时间后，即可得到质量优良的外延层。液相外延适合于化合物半导体薄膜和合金薄膜的外延，也能在外延的同时作需要的掺杂。 液相外延有很高的外延速度，可以方便地得到内部晶体质量很高的薄膜，但是由于表面不平整，而且缺陷很多，需要对液相外延薄膜作适当抛光后才能使用。 4. 热壁外延（HWE） 热壁外延是一种真空外延技术，简单的原理图如后。它有互相独立调节的源、器壁、基片加热器。整个装置在真空中。它的外延生长过程是，先将外延源材料在炉体内加热融化，使源材料沉积到器壁上，再加热器壁并调节温度使源材料从器壁缓慢蒸发，并在基片上外延。特点是，源材料的损失最小；腔体环境洁净，污染小；源和基片间的温差可以根据需要调节。 热壁生长的材料主要是化合物半导体薄膜，已经成功地制备了GaAs、PbTe、CdTe、CdSe、Pb1-xEuxTe等许多Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅵ、Ⅲ-Ⅴ二元和三元化合物薄膜材料。 热壁外延炉 热壁外延实例 5. MOCVD 外延 金属有机物化学气相沉积（MOCVD），根据使用要求，可以用作非晶向薄膜沉积和晶向外延。由于原料价格高，目前以外延生长为主要应用。它的外延生长过程是，加热使源气分解，进而在基片表面外延生长。要求化合物源气在常温下稳定，且有较高蒸气压，反应副产物不能影响外延生长。通常这些化合物是金属的氢化物和烷基化合物。它们大多有剧毒、易燃或自燃。 MOCVD外延的特点是：1. 可以对多种化合物半导体作外延生长；2. 设备相对便宜、简单、温度范围宽；3. 均匀性和重复性好；3.原料气体不会对外延层有刻蚀作用，可以生长梯度掺杂膜；4. 只通过改变原料就可生长不同的化合物薄膜。 MOCVD 外延系统示意 低压CVD外延 超高真空CVD外延技术，是一种近年来发展的技术，目的是获得比MBE便宜、适合于工业化生产的方法。 在各种外延技术中， 生长温度最高的是常规气相和液相外延，最低的是 MBE，MOCVD次之，与MOCVD接近； 2. 生长速率是常规气相外延和液相外延最高，MBE最低； 3. 薄膜 的纯度是液相外延最高，MBE、MOCVD次之； 生长价格，常规气相外延最便宜，MBE最高，MOCVD次之； 5. 工业化程度是常规外延最高，MBE、MOCVD研究上应用最多。 比 较 类型 粒子荷电性 能 量 （eV） 沉积速率 绕射性 基片负荷 蒸发 中性 0.1?0.3 高 差 接0 溅射 中性 3 ? 10 低 差 接0 或负偏压 离子镀 带正电 10?100 高 好 接负 蒸发、溅射和离子镀特点比较 习 题 离子镀膜的原理是什么？与蒸发、溅射有哪些联系与差别？ 离子束增强沉积薄膜合成的原理是什么？ 有那些薄膜外延的手段？比较它们的特点。 4. 试比较反应蒸发、反应溅射、反应离子镀的类同与差异。 薄膜材料与薄膜技术 第三章 薄膜的物理制备方法（3） 薄膜材料与薄膜技术 第三章 薄膜的物理制备方法（3） 三、外延