共发射极放大电路各元件作用.pptVIP

4. 低频跨导 gm 反映了uGS 对 iD 的控制能力， 单位 S(西门子)。常用毫西 (mS，mA/V)。 uGS /V iD /mA Q PDM = uDS iD，受管子最高工作温度限制。 5. 最大漏极电流 IDM 6. 最大漏极功耗 PDM O 为管子工作时允许的最大漏极电流。 7. 漏源击穿电压 U（BR）DS ：漏源间能承受的最大电压。 8. 栅源击穿电压 U（BR）GS ：栅源间能承受的最大电压。 二、场效应管的主要特点及使用注意事项 特点： FET为电压控制型器件，栅极基本无电流，输入电阻高，常用做高输入阻抗输入级。 多 子导电，受温度、辐射等外界因素影响小。 噪声比BJT小（尤其是JFET） 。 MOS管制造工艺简单，体积小，功耗小，易集成。 使用注意事项： MOS管衬底与源极通常接在一起。若需分开，衬源间电压须反偏（NMOS uGS 0， PMOS uGS 0 ）。 MOS管输入电阻极高，使栅极感应电荷产生高压造成管子击穿。为避免栅极悬空及减少感应，储存时应将三个极短路；焊接时，用镊子短路三个极，并将电烙铁断电后焊接；不能用万用表检测，只能接入测试仪后再去掉短路线测试，取下前也应先短路。 JFET可在栅源极开路情况下储存 和用万用表检测。 MOS管栅极过压保护电路 ? 2.4.4 其它类型场效应管* 一、砷化镓金属 – 半导体场效应管