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第五章 薄膜制备;第一节 氧化法制备二氧化硅膜 硅暴露在空气中，即使在室温条件下，在表面也能长成一层有40 ?左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密，同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化，而且还具有极稳定的化学性和绝缘性。正因为二氧化硅具有这样的性质，根据不同的需要，人们制备二氧化硅，用来作为器件的保护层和钝化层，以及电性能的隔离，绝缘材料和电容器的介质膜等。 ;一、二氧化硅性质 1.物理特性;2.化学性质 二氧化硅是硅最稳定的化合物，不溶于水，只能和氢氟酸发生反应。二氧化硅与氢氟酸作用发生如下化学反应： SiO2 +HF → H2 [SiF6] + H2O 在生产中利用二氧化硅与氢氟酸反应的性质，完成对二氧化硅腐蚀的目的。对二氧化硅腐蚀速率的快慢与氢氟酸的浓度、温度、二氧化硅的质量以及所含杂质的数量等情况有关。不同方法制备的二氧化硅，其腐蚀速率可能相差很大。;二、二氧化硅的作用 1.作为绝缘介质 2.掩蔽杂质 3.作为表面钝化层;三、热氧化法制备二氧化硅膜 二氧化硅的制备方法有许多种，热氧化、热分解、溅射、真空蒸发、阳极氧化、等离子氧化等。 1.三种热氧化法 硅的热氧化是指在1000℃以上的高温下，硅经氧化生成二氧化硅的过程。热氧化法包括干氧、水氧和湿氧三种方法。;（1）干氧氧化 干氧氧化是在高温下，氧分子与硅直接反应生成二氧化硅。;（2）水汽氧化 水汽氧化是指在高温下，硅与高纯水蒸汽反应生成二氧化硅膜。;（3）湿氧氧化 　　湿氧氧化中，用携带水蒸气的氧气代替干氧。氧化剂是氧气和水的混合物，反应过程如下：氧气通过95℃的高纯水；氧气携带水汽一起进入氧化炉在高温下与硅反应。 湿氧氧化相当于干氧氧化和水汽氧化的综合，其速率也介于两者之间。具体的氧化速率取决于氧气的流量、水汽的含量。水温越高，则水汽含量越大，氧化膜的生长速率和质量越接近于水汽氧化的情况。反之如果水汽含量越小，就越接近于干氧氧化。;2.影响氧化物生长的因素 温度 　　 时间 　　 晶格方向 压强 杂质浓度 ;四、二氧化硅膜的检测 二氧化硅膜的质量，直接关系到??导体芯片的性能。因此，其质量必须达到预定的要求。氧化膜的质量方面主要要求在表面无斑点、裂纹、白雾和针孔等缺陷；厚度达到规定标准，薄厚均匀；可动离子含量低，符合要求等。;1.二氧化硅膜厚度的测量 比色法 膜的厚度不同，在光的照射下，由于光的干涉，会呈现出不同的颜色。根据干涉次数与颜色，就能估测出膜的厚度。但误差太大，且当膜厚超过7500 ?时，色彩变化不明显，因此仅限于测量1000～7000 ?之间的氧化膜厚度。;光干涉法 光干涉法需要将氧化膜腐蚀出一个斜面，如图5-3所示，用短波长的单色光垂直入射至斜面处，用显微镜观察斜面处的干涉条纹。根据条纹的个数即可计算出膜的厚度。;椭偏光法 椭偏光法是用椭圆偏振光照射被测样品，观察反射光偏振状态的改变，从而测出样品上膜的厚度。;2.二氧化硅膜的主要缺陷 膜厚不均匀 表面斑点 针孔 钠离子污染;第二节 化学气相沉积法制备薄膜 一、化学气相沉积概述 沉积也叫积淀，是指在晶圆上沉积一层膜的工艺，沉积薄膜的工艺主要包括化学气相沉积、物理气相沉积。 化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition，CVD)是指单独地或综合的利用热能、辉光放电等离子体、紫外光照射、激光照射或其它形式的能源，使气态物质在固体的热表面上发生化学反应，形成稳定的固态物质，并沉积在晶圆片表面上的一种薄膜制备技术。 ; 用CVD法沉积薄膜，实际上是从气相中生长晶体的物理-化学过程。对于气体不断流动的反应系统，其生长过程可分为下列步骤： ①参加反应的气体混合物被输送到衬底表面； ②反应物分子由主气流扩散到衬底表面； ③反应物分子吸附在衬底表面上； ④吸附分子与气体分子之间发生化学反应，生成硅原子和化学反应副产物，硅原子沿衬底表面迁移并结合进入晶体点阵中； ⑤反应副产物分子从衬底表面解析； ⑥副产物分子由衬底表面扩散到主气体流中，然后被排出沉积区。 ; 化学气相沉积反应必须满足三个挥发性标准： (1) 在沉积温度下，反应剂必须具备足够高的蒸汽压，使反应剂以合理的速度引入反应室。如果反应剂在室温下都是气体，则反应装置可以简化；如果在室温下挥发性很低，则需要用携带气体将反应剂引入反应室，在这种情况下，接反应器的气体管路需要加热，以免反应剂凝聚。 (2) 除沉积物质外，反应产物必须是挥发性的。 (3) 沉积物本身必须具有足够低的蒸汽压，使反应过程中的沉积物留在加热基片上。 ;二、化学气相沉积的主要反应类型 CVD是建立在化学反应基础上的，要制备特定性能材料首先