光电子第五章.pptVIP

成像特性、噪声——信息传递问题，决定能被传递的信息量大小 成像转换过程有四个方面的问题需要研究： 固体摄像器件主要有三大类： 电荷耦合器件（Charge Coupled Device，即CCD） 互补金属氧化物半导体图像传感器（即CMOS） 电荷注入器件（Charge Injection Device，即CID） 一、电荷耦合摄像器件 贝尔实验室的W. S. Boyle，G. E. Smith在探索磁泡器件的电模拟工作中，在1969年秋构思了电荷耦合器件的原理 他们首先提出的一种器件结构是采用相同的电极和三相时钟系统，为隔离各个电荷包，最少需要三相时钟 体内沟道（或埋沟道CCD），即 BCCD（Bulk or Buried Channel CCD）——用离子注入方法改变转移沟道的结构，从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部，形成体内的转移沟道，避免了表面态的影响，使得该种器件的转移效率高达99.999％以上，工作频率可高达100MHz，且能做成大规模器件 电荷存储 电荷转移 电荷检测 信号电压是在浮置电平基础上的负电压； 每个电荷包的输出占有一定的时间长度To； 在输出信号中叠加有复位期间的高电平脉冲； 对CCD的输出信号进行处理时，较多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及抑制噪声。 2 电荷耦合摄像器件的工作原理 按结构可分为线阵CCD和面阵CCD 按光谱可分为可见光CCD、红外CCD、X光CCD和紫外CCD 可见光CCD又可分为黑白CCD、彩色CCD和微光CCD CCD 摄像器件的工作原理： 线阵CCD 面阵CCD 彩色CCD 二、电荷耦合摄像器件的特性参数 电荷包从一个栅转移到下一个栅时，有部分的电荷转移过去，余下部分没有被转移，称转移损失率ε 定义光敏元响应的均方根偏差对平均响应的比值为CCD的不均匀度 ： CCD成像器件在既无光注入又无电注入情况下的输出信号称暗信号，即暗电流 暗电流的根本起因在于耗尽区产生复合中心的热激发 由于工艺过程不完善及材料不均匀等因素的影响，CCD中暗电流密度的分布是不均匀的 5 光谱响应 7 分辨率 SONY ICX429AKL 三、CMOS摄像器件 采用CMOS技术可以将光电摄像器件阵列、驱动和控制电路、信号处理电路、模／数转换器、全数字接口电路等完全集成在一起，可以实现单芯片成像系统 ——Camera-On-A-Chip 1 CMOS像素结构 无源像素型（PPS） 有源像素型（APS） MOS 摄像器件的工作原理： 光栅型有源像素结构（PG－APS） 外界光照射像素阵列，产生信号电荷，行选通逻辑单元根据需要，选通相应的行像素单元，行像素内的信号电荷通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理器(ASP)及A/D变换器，转换成相应的数字图像信号输出。行选通单元可以对像素阵列逐行扫描，也可以隔行扫描。隔行扫描可以提高图像的场频，但会降低图像的清晰度。行选通逻辑单元和列选通逻辑单元配合，可以实现图像的窗口提取功能，读出感兴趣窗口内像元的图像信息 CMOS摄像器件的结构： APS(Active Pixel Structure )： 由1990s中期NASA引入CMOS 图像传感器，解决了噪声问题。 像素尺寸减小后低光照下灵敏 度迅速降低，采用微透镜和滤色 片组合以及CMOS工艺的优势， 前景好于CCD。 3 CMOS与CCD器件的比较 CCD摄像器件 灵敏度高、噪声低、像素面积小 光敏元阵列难与驱动电路及信号处理电路单片集成，需要使用相对高的工作电压，制造成本比较高 四、红外焦平面器件 红外焦平面器件（Infrared Focal Plane Arrays, IRFPA） 光机扫描方式 电子束扫描方式 固体自扫描方式 光机扫描方式 电子束扫描方式 固体自扫描方式 二、光电成像系统的基本技术参数 光学系统的通光口径D和焦距f/ 瞬时视场角α、β 观察视场角WH、WV 帧时Tf和帧速 扫描效率η 滞留时间 5.3 红外成像光学系统 红外成像光学系统应满足以下几方面的基本要求： 物像共轭位置 成像放大率 一定的成像范围（视场） 在像平面上有一定的光能量 反映物体细节的能力（即分辨率） 一、理想光学系统模型 牛顿公式 二、光学系统中的光阑 孔径光阑、渐晕光阑、视场光阑、消杂光光阑 渐晕光阑 三、红外成像光学系统的主要参数 焦距f′ 决定光学系统的轴向尺寸，f′越大，所成的像越大，光学系统一般也越大 相对孔径决定红外成像光学系统的衍射分辨率及像面上的辐照度 四、光学系统的像差 光学系统近轴区具有理想光学系统的性质，光学系统近