第三四章 CMOS集成电路的物理结构-—制造—物理设计.ppt

超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * * 流片的主要工艺步骤 Step7： n-well 区的形成（离子注入/扩散） * 流片的主要工艺步骤 Step8： 氧化层的去除，（Strip off the remaining oxide using HF），剩下P衬底和N阱的硅片。 之后各个层次的形成与以上的8个步骤类似。 * Step9： 多晶硅Polysilicon层的生成 Deposit very thin layer of gate oxide 厚度 20 ? (6-7 个原子层的厚度) 化学气相淀积法Chemical Vapor Deposition (CVD) 生成多晶向的碎小晶体—多晶硅 (polysilicon) 多晶硅中的离子掺杂以调整电阻率（Heavily doped to be good conductor） 流片的主要工艺步骤 * 流片的主要工艺步骤 Step10 ：生成多晶硅栅极的形状Polysilicon Patterning Use same lithography process to pattern polysilicon * 流片的主要工艺步骤 Use oxide and masking to expose where n+ dopants should be diffused or implanted N-diffusion forms nMOS source, drain, and n-well contact CMOS的自对准：Self-Aligned Process * 流片的主要工艺步骤 Step11 ： N+区（N-diffusion） 的氧化层去除，为N+区离子注入作准备。 有源区Active-layer * 流片的主要工艺步骤 Step12： N+区的离子注入完成 * 流片的主要工艺步骤 Step13 ：腐蚀掉所有的场氧化层（Strip off oxide to complete patterning step） * 流片的主要工艺步骤 Step14 ： 重复类似的步骤形成P+区（Similar set of steps form p+ diffusion regions for pMOS source and drain and substrate contact） * 流片的主要工艺步骤 Step15: Contact接触孔层的形成。处于各个不同层次但彼此又氧化层隔离的导电层通过接触孔间接。 * Step16: 金属化（Metalization）-- 金属层的形成 --Sputter on aluminum over whole wafer --Pattern to remove excess metal, leaving wires 流片的主要工艺步骤 * * * * * Enjoy? 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * 超大规模集成电路与系统导论2010 超大规模集成电路与系统导论2010 * * 第四章 CMOS集成电路的制造 * 第四章 CMOS集成电路的制造 * 第四章 CMOS集成电路的制造 * 第四章 CMOS集成电路的制造 现代的掩膜技术： （