PESiO和SiN双层膜简介课件.pptVIP

* 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 * PE SiO2和SiN双层膜简介 一、钝化原理 硅材料中含有大量的杂质和缺陷，导致硅中少数载流子寿命和扩散长度降低。为了提高硅太阳电池的效率，必须对硅材料中具有电活性的杂质和缺陷进行钝化。 SiN：由于SiN膜具有很高的正电荷密度，场效应钝化效果较好，内含丰富的H原子。但其沉积在硅片表面后，界面缺陷密度较高。 SiO2： SiO2膜折射率较低，场效应钝化效果不如SiN，但是生长完SiO2硅片表面缺陷密度较低。 因此采用/SiN叠层膜结构可以有效综合两种膜的优点得到较好的钝化效果。 1、材料特性： SiN：密度：3.44；熔点：1900℃；介电常数为8 F?m-1； SiO2：密度：2.2～2.6；熔点：1700 ℃；介电常数为3.9 F?m-1； TiO2：密度：3.9；熔点：1850 ℃；介电常数为3.9 F?m-1； Si：密度：2.4；熔点：1420 ℃； 折射率和热膨胀系数： Si：n=3.42；热膨胀系数：3ppm/K； SiN：n=2.0；热膨胀系数：2.3ppm/K； SiO2：n=1.46；热膨胀系数：0.5ppm/K；