PESiO和SiN双层膜简介课件.ppt

* 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 * PE SiO2和SiN双层膜简介 一、钝化原理 硅材料中含有大量的杂质和缺陷，导致硅中少数载流子寿命和扩散长度降低。为了提高硅太阳电池的效率，必须对硅材料中具有电活性的杂质和缺陷进行钝化。 SiN：由于SiN膜具有很高的正电荷密度，场效应钝化效果较好，内含丰富的H原子。但其沉积在硅片表面后，界面缺陷密度较高。 SiO2： SiO2膜折射率较低，场效应钝化效果不如SiN，但是生长完SiO2硅片表面缺陷密度较低。 因此采用/SiN叠层膜结构可以有效综合两种膜的优点得到较好的钝化效果。 1、材料特性： SiN：密度：3.44；熔点：1900℃；介电常数为8 F?m-1； SiO2：密度：2.2～2.6；熔点：1700 ℃；介电常数为3.9 F?m-1； TiO2：密度：3.9；熔点：1850 ℃；介电常数为3.9 F?m-1； Si：密度：2.4；熔点：1420 ℃； 折射率和热膨胀系数： Si：n=3.42；热膨胀系数：3ppm/K； SiN：n=2.0；热膨胀系数：2.3ppm/K； SiO2：n=1.46；热膨胀系数：0.5ppm/K； TiO2：n=2.4 2、应力： 材料单位截面积上受到的力称为应力。根据对材料作用的不同，应力表现为两种可能 的形式：张应力和压应力。对材料有拉伸作用的应力为张应力，对材料有压缩作用的应力为压应力。 薄膜材料的应力有两部分组成，一是薄膜材料与衬底热膨胀系数不同而产生的热应力；二是薄膜材料与衬底结构不匹配而产生的本征应力。 （1） 热氧化SiO2： 热氧化SiO2膜的应力为压应力，值约为3*108Pa。 从图上可以看出，应力随着温度升高增大；在膜厚3000—6000nm时，应力无明显变化。 （2）PECVD SiO2 PECVD SiO2的应力为压应力，值约为1～3﹡108Pa。 从上图可以看出：应力随衬底温度的提高而降低； 应力随折射率的增大而增大； 当厚度较小时，应力随膜厚的增大而减小；当膜厚较大时，应力不随膜厚变化； （3）PECVD SiN PECVD SiN的应力为压应力，值约为1～4*109Pa。 随淀积温度的提高，应力先升后降。在350℃附近形成一个峰值。这是由于薄膜淀积过程中缺陷的引入及激活这一对相反的过程在各个温度下共同作用的结果。 应力与气体流比得关系：在不富硅的氮化硅中，应力随硅烷流量增大而增大，而当富硅严重时，应力则随富硅程度的增大而减小。在前一种情况下，薄膜中富裕的硅起缺陷作用；在后一种情况下，多余的硅形成局部非晶硅结构。 应力与膜厚：应力基本上不随膜厚变化，只有在厚度超过200nm之后略有上升的趋势。 应力与退火处理：SiN膜在N2氛围中进行退火处理，应力有下降趋势。高温退火应力下降明显，主要是因为退火减少了膜中的缺陷。 3、折射率计算： 如果在硅表面制备一层透明的介质膜，由于介质膜的两个界面上的反射光互相干涉，可以在很宽波长范围内降低反射率。此时反射率由下式给出： 式中，r1、r2分别是外界介质—膜和膜—硅界面上的菲涅尔反射系数；△为膜层厚度引起的相位角。 其中，n0，n和nsi分别为外界介质、膜层和硅的折射率；?0是入射光的波长；d是膜层的实际厚度；n?d为膜层的光学厚度。 当波长为?0的光垂直入射， 。如果膜层光学厚度为?0的四分之一，即n?d=?0/4，可得： 为了使反射损失减到最小，即希望上式 等于0，就应有： 对于太阳光谱，取?0＝0.6微米 ，如果电池直接暴露在真空或大气中使用，最匹配的减反射膜折射率为n≈1.97。 在实际应用中，为了提高电池的使用寿命和抗湿能力，大多采用硅橡胶封装。所以，对于减反射膜来说，外界介质是硅橡胶，其折射率约为1.4，在这种情况下，最匹配的减反射膜折射率应为: 4、SiN的优点：（1）场效应钝化效果好 左图为SiN/Si界面图。图中SiN的固定正电荷主要来自反应过程中生成的悬挂键。如N3ΞSi?，Si3ΞSi?，Si2NΞSi?等。SiN膜中的固定正电荷可与硅片内的载流子