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SHARED COMMITMENT. SHARED RESOURCES. ONE SOLUTION. 《半导体物理》总复习 第一章 半导体中的电子状态 掌握空穴的物理意义 掌握共有化运动和能带的关系 掌握回旋共振的实验原理和结论 掌握Si、Ge、GaAs的能带结构 掌握主要半导体材料的应用 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 掌握半导体中杂质的不同情况 施主杂质、受主杂质（施主作用受主作用） 两性杂质 深能级、浅能级 理解“杂质补偿”的意义 第三章 半导体中载流子的统计分布 利用“电中性方程”计算载流子浓度、EF的位置 掌握非简并和简并的判定条件 掌握饱和区、过渡区、高温本征区三个区间的判定 掺入两种以上杂质后的电中性方程 理解重掺杂时禁带变窄效应 理解载流子浓度以及EF与温度的关系 理解本征载流子的物理意义 第四章 半导体的导电性 定性分析“电导率（电阻率）”对温度的依赖关系 电导率 迁移率、平均漂移速度 平均自由程、平均自由时间 掌握霍尔实验的原理和结论 掌握GaAs的负微分电导现象 第五章 非平衡载流子 利用“连续性方程”计算非平衡载流子浓度 非平衡载流子浓度（准费米能级） 非平衡载流子的复合与寿命 小注入 直接复合、间接复合、陷阱效应 扩散长度与牵引长度 理解漂移和扩散 非简并半导体满足“爱因斯坦关系式” 第六章 pn结 理解“pn结的形成” 势垒高度、势垒宽度的变化 掌握pn结的基本电学性质 掌握三种情况下的pn结能带图和载流子分布图 理解pn结中的电流组成 掌握电流电压方程 理解“势垒电容和扩散电容”，能计算突变结的势垒电容 了解三种击穿 分值分布 第一章：10分 第二章：10分 第三章：20分 第四章：20分 第五章：20分 第六章：20分 题型1 选择（2×7=14分） 简答（6×5=30分） 作图分析（16分） 证明计算（10×4=40分） 题型2 判断（2×5=10分） 填空（1×15=15分） 简答（5×4=20分） 计算（10×4=40分） 作图（15分） SHARED COMMITMENT. SHARED RESOURCES. ONE SOLUTION.
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