大学物理课件近代物理之五.pptVIP

一. 电子共有化 固体: 具有由大量分子、原子或离子组成 的晶格点阵结构。 电子受到周期性势场的作用。 a §29-1 固体的能带结构 解定态薛定谔方程(略），可以得出两点重要结论： １.电子的能量是量子化的; ２.电子的运动有隧道效应。 原子的外层电子(高能级)， 可以在整个固体中运动, 称为共有化电子。 二. 能带 量子力学计算表明，固体中若有N个原子，由于各 原子间的相互作用，对应于原来孤立原子的每一个能级, 变成了N条靠得很近的能级,称为能带。 能带的宽度记作?E ，数量级为 ?E～eV。 若N~1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。 说明： 1. 越是外层电子，能带越宽（?E越大）。 2. 点阵间距越小，能带越宽（?E越大）。 3. 两个能带有可能重叠。 离子间距 a 2P 2S 1S E 0 能带重叠示意图 三 . 能带中电子的排布 固体中的电子只能处在某个能带中的某一能级上。 排布原则： １. 服从泡里不相容原理 ２. 服从能量最小原理 孤立原子一个能级 Enl ，它最多能容纳 2 (2l +1)个电子 这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后， 能带最多能容纳２Ｎ(2l+1)个电子。 电子排布时，应从最低的能级排起。 有关能带被占据情况的几个名词： 1．满带（排满电子） 2．价带（能带中一部分能级排满电子） ? 亦称导带 3．空带（未排电子） ? 亦称导带 4．禁带（不能排电子的能量空间） 2ｐ、３ｐ能带，最多容纳 6Ｎ个电子。 例如，1ｓ、２ｓ能带，最多容纳 2Ｎ个电子。 ２Ｎ(2 l+1) 满带上的电子不能参与导电 四、导体、半导体和绝缘体 它们的导电性能不同， 是因为它们的能带结构不同。 固体按导电性能的高低可以分为 导体 半导体 绝缘体 按能级特点区分： 导体 导体 绝缘体 ?Eg 半导体 ?Eg 导体 ?Eg 在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能级图上来看，是因为其共有化电子很易从低能级跃迁到高能级上去，造成多个能级未被电子占满，这些能级上的电子均可参与导电。 E 导体 能级图上， ?Eg 约3～6 eV，共有化电子很难从低能级 （满带）跃迁到高能级（空带）上去。 在外电场的作用下，共有化电子很难接受外电场的能量，所以形不成电流。 满带与空带之间也是禁带，但是禁带很窄（?E g 约0.1～2 eV )。 绝缘体 半导体 绝缘体与半导体的击穿 当外电场非常强时，共有化电子越过禁带跃迁到空带中形成载流子。 绝缘体 半导体 导体 §29-2 半导体 一. 本征半导体（semiconductor） 本征半导体是指纯净的半导体。 其导电性能在导体与绝缘体之间。 介绍两个概念： 1. 电子导电……半导体的载流子是电子 2. 空穴导电……半导体的载流子是空穴 满带上的一个电子跃迁到空带后, 满带中出现一个空位称空穴。 空带 满带 ?Eg 在外电场作用下, 例. 半导体 Cd S 满 带 空 带 h? ?Eg=2.42eV 电子和空穴总是成对出现的——电子空穴对 ?解? 半导体 Cd S激发载流电子, 光波的波长最大多长？ 为什么半导体的电阻 随温度升高而降低？ 二. 杂质半导体 １. n型半导体 四价的本征半导体 Si、Ｇｅ等，掺入少量五价的杂质元素（如P、As等）形成电子型半导体,称 n 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处, ?ED～10-2eV，极易形成电子导电。 该能级称为施主（donor）能级。 n 型半导体 电子……多数载流子 空 带 满 带 施主能级 Eg Si Si Si Si Si Si Si P ED 空穴……少数载流子 在n型半导体中 ２.ｐ型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等，掺入少量三价的杂质元素（如Ｂ、Ga、Ｉn等）形成空穴型半导体，称 p 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，?Ea～10-2eV，极易产生空穴导电。 该能级称受主（acceptor）能级。 空 带 满 带 受主能级 P型半导体 Ea Si Si Si Si Si Si Si + B Eg 空穴……多数载流子 电子……少数载流子 在p型半导体中 三. 杂质补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd），