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半导体物理与器件;*;1.4 频率特性 模型概述;1.4 频率特性 MOSFET物理模型：交流小信号参数;1.4 频率特性 完整的小信号等效电路;1.4 频率特性 完整的小信号等效电路：VBS影响;1.4 频率特性 模型参数;1.4 频率特性 模型和模型参数特点：;1.4 频率特性 模型和模型参数特点：;1.4 频率特性 模型和模型参数特点：;1.4 频率特性 简化的小信号等效电路;1.4 频率特性 高频等效电路;1.4 频率特性 MOSFET频率限制因素;1.4 频率特性 电流-频率关系;1.4 频率特性 含有密勒电容等效电路;1.4 频率特性 截止频率推导;1.4 频率特性 提高频率特性途径;*;*;1.5 开关特性 开关原理;1.5 开关特性 什么是CMOS？;1.5 开关特性 CMOS反相器;1.5开关特性 开关时间;1.5 开关特性 CMOS实现;1.5 开关特性 CMOS的工艺类型;1.5 开关特性 版图;1.5 开关特性 MOSFET版图;1.5 开关特性 反相器版图;1.5 开关特性 CMOS与非门 ;1.5 开关特性 CMOS或非 ;1.5 开关特性 CMOS闩锁效应;1.5 开关特性 CMOS闩锁效应;*;1.6补充 温度特性;1.6补充 噪声特性 ;*;*;*;*;*;;11.7 小结 1; 11.7 小结 2; 11.7 小结 2;课前提问题（1）;11.2 C-V曲线
什么因素会使C-V曲线平移？
什么因素会使C-V曲线的变化变缓？
11.3 MOSFET原理
在结构上MOSFET与MOS电容有何不同？
为什么MOSFET可以起到开关或放大的作用？
在MOSFET中，存在有哪几种类型的电荷？
n沟道MOSFET处于饱和区时，VGS和VDS应满足何种条件？
11.4 频率特性
11.5 CMOS技术;重要??语解释;重要术语解释;知识点;复习题;END
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