工艺课复习重点.pptVIP

P* P* P* P* P* P* P* P* P* P* P* P* P* 硅中的点缺陷、线缺陷的种类； 硅中杂质的类型； 杂质的固溶度； 第1章 单晶硅特点 多晶硅的制备过程； 单晶硅的制备方法（3种）； 直拉法制备单晶硅的设备、原理、特点； 分凝现象、分凝系数； 硅锭的掺杂方法（3种），以及液相掺杂的计算； 第2章 硅片的制备 外延的概念、分类（工艺、材料、温度、电阻率、结构）； 硅气相外延的两个过程以及基本原理； 外延掺杂的两种效应：自掺杂、互扩散； 第3章 外延 二氧化硅的用途； 二氧化硅掩蔽的条件； 热氧化的分类及其特点； 硅的热氧化模型以及氧化层生长的两个阶段、计算氧化层厚度； 热氧化中杂质的分凝效应； 氧化层厚度的测量方法； 氧化层中的电荷类型； 第4章 热氧化 扩散机理：三种扩散机构； 菲克第一、第二定律，扩散系数； 两种扩散方式以及杂质的分布函数，会计算结深； 两步扩散工艺原理； 结深的测量方法； 第5章 扩散 离子注入的基本原理、几个概念（射程、投影射程等）； 离子注入的两种能量损失机制（LSS理论）； 核阻止和电子阻止与注入离子能量的关系； 离子注入的纵向分布函数； 离子注入的沟道效应，减小沟道效应的方法； 退火的概念、工艺、目的； 列举离子注入的几个应用； 第6章 离子注入 CVD的概念； 多晶硅薄膜淀积的基本步骤以及两个过程； 温度对薄膜淀积速率的影响； 薄膜的台阶覆盖特性； 低压化学气相淀积的气缺现象以及解决方法； CVD二氧化硅中磷的作用； 钨的主要用途，覆盖淀积钨的工艺流程； TiN的主要用途； 第7章 化学气相淀积 PVD的概念； 真空蒸镀概念、基本过程； 蒸汽压、平衡蒸汽压、蒸发温度、成核、成膜的概念； 溅射的概念、基本过程； 溅射率概念； 溅射与蒸镀薄膜质量的比较； 改善溅射薄膜的保形覆盖特性的方法； 铝的“尖楔”现象，解决方法； 第8章 物理气相淀积 光刻、分辨率、焦深的概念； 基本光刻工艺流程及其目的； 第9章 光刻工艺 光刻胶及其组成、分类； 正胶和负胶的特点； 几种光学分辨率增强技术； 几种光刻机接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分布重复投影光刻机、步进扫描投影光刻机的原理、特点； 第10章 光刻技术 刻蚀技术的概念，对刻蚀技术的要求； 湿法刻蚀的概念、特点； 干法刻蚀的概念、特点； 刻蚀的选择比； 刻蚀的终点检测方法； 第11章 刻蚀技术 欧姆接触； 铝的电迁移现象，以及减小方法； 化学机械抛光（CMP）； 铜的镶嵌工艺（双大马士革工艺）； 局部氧化工艺、浅槽隔离工艺；鸟嘴现象； 曲折电阻的计算； 简化的双阱CMOS工艺流程及剖面图； 简化是双极型npn工艺流程及剖面图； 第12章 工艺集成 P* P* P* P* P* P* P* P* P* P* P* P* P*