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数字电路与系统第8章 1 8-2 随机存取存储器（RAM） 三、8×4位 SRAM ◆ SRAM的写操作时序 ◆ SRAM的读操作时序 8-2-2 动态RAM（Dynamic RAM） DRAM的优点: 存储容量大, 集成度高 DRAM的缺点: 需要定时刷新 DRAM的结构 8-2-3 RAM的扩展与应用 一、容量扩展 位扩展：存储器并行数据位数的扩展 字扩展：存储深度的扩展 字扩展：存储深度的扩展 常用RAM组件： RAM2114、6116的管脚图 2114容量的扩展 2. 字数的扩展： ☆计算机存储器扩展应用系统 双口RAM 四、先进先出存储器  —— FIFO（First In First Out） 用标准RAM构成FIFO * 第8章 存储器与可编程逻辑器件 数字系统设计中可供选用的三类基本器件  ① 中、小规模标准逻辑模块； ② 微处理器（Microprocessor）；  ③ 专用集成电路ASIC（Application Specific Integrated Circuit）：全定制和半定制。 全定制： 各种专用电路 半定制： 门阵列--GA 标准单元--SC 可编程逻辑器件PLD（Programmable Logic Device） 8.1 可编程逻辑器件概述 8.1.1 PLD的发展简史 20世纪70年代：熔丝编程的PROM（Programmable Read Only Memory）和PLA（Programmable Logic Array）。  20世纪70年代末： AMD公司推出了熔丝编程的PAL（Programmable Array Logic）。  20世纪80年代初： Lattice公司首先生产出了可电擦写的、 比PAL使用更灵活的GAL（Generic Array Logic）。  可编程只读存储器 可编程逻辑阵列 可编程阵列逻辑 通用阵列逻辑 20世纪80年代中期： Xilinx公司提出了现场可编程的概念， 同时生产出了世界上第一片FPGA（Field Programmable Gate Array）器件。 同一时期， Altera公司推出了EPLD（Erasable PLD），它比GAL具有更高的集成度， 可以用紫外线或电擦除。  20世纪80年代末： Lattice公司又提出了在系统可编程（ ISP, In System Programmability）的概念，并推出了一系列具有在系统可编程能力的CPLD（Complex PLD）器件。此后，其它PLD生产厂家都相继采用了ISP技术。 现场可编程门阵列 可擦除可编程逻辑器件 复杂可编程逻辑器件 20世纪90年代后： 规模越来越大：集成度在300万门以上 速度越来越高：系统频率为100MHz以上 电路结构越来越灵活， 电路资源更加丰富：集成了微处理器、数字信号处理单元和存储器等。仅用一片可编程逻辑器件就可实现一个完整的数字系统，即构成所谓的片上系统SOC（System On Chip）。 8.1.2 PLD的分类 1． 按集成度分类 ① LDPLD（LowDensity PLD）：低密度可编程逻辑器件 如： PROM、PLA、PAL和GAL器件 ② HDPLD（HighDensity PLD）：高密度可编程逻辑器件 EPLD、CPLD和FPGA器件属于HDPLD 划分标准：GAL22V10，密度，大致为500～750门之间 。  2． 按基本结构分类 PLD：与-或阵列 LDPLD（PROM、 PLA、 PAL、 GAL）、 EPLD、 CPLD的基本结构都是与-或阵列 FPGA：门阵列结构 3． 按编程工艺分类 编程工艺， 是指在可编程逻辑器件中可编程元件的类型。  ① 熔丝（Fuse）或反熔丝（Anti-Fuse）编程器件。 ② UVEPROM编程器件， 即紫外线擦除/电气编程器件。 ③ E2PROM编程器件，即电可擦写编程器件。 ④ Flash Memory（闪速存储器）编程器件 ⑤ SRAM编程器件。 非易失性器件 易失性器件 一次性编程（OTP）器件 其它分类方法 制造工艺：双极型和MOS型； 复杂程度：简单可编程逻辑器件SPLD（Simple PLD）和复杂可编程逻辑