第2章IC工艺扩散掺杂技术.pptVIP

Si双极npn晶体管芯片的工艺流程 局域掺杂和热处理技术（p。37） 第二章：扩散掺杂技术 第三章：热氧化技术第四章：离子注入技术第五章：快速热处理技术 基本内容! 1) 杂质在材料中的扩散机制，和影响扩 散系数的几种因数。 2）常见的几种施主和受主杂质以及一些 金属杂质在Si中的扩散。 3）扩散源和扩散系统。 4）实际的扩散工艺。 5）扩散工艺的质量检控和分析。 2.1.晶体中的杂质扩散 2.1. 1.基本扩散机理(模型) 1)间隙式扩散 间隙原子从一个间隙 位跳到邻近的间隙位， 造成原子的移动。 如：O、Fe、Au等 2）替位式扩散 杂质原子在晶 格中移动方式是由 一个晶格跳到下一 个晶格。 如：B、P、Au等。 替位式扩散需要杂质 原子的邻近位是一空位（空位交换）；或者，需要将邻近的替位原子推到邻近的间隙位。因此，这种扩散机制的扩散速率较慢。 3）其它扩散机制 a）直接交换 b）Kick-out机制 （page 45， Kick-out机制的 扩散速率一般超 过替位式扩散 如：Ni等。 扩散系数的普遍表达式： 通常高阶电荷态的几率很小可以忽略 （P.43、44；Table:3.2, Example: 3.1) 而某一种扩散系数可以表达为： D=D0exp（-ka/kT） 可以得到Arrhenius Plot 多种扩散机制共存情况（p48~52） 增强扩散 (P.48~49) 各向异性扩散 2.1. 2. 扩散的数学描述（P 45~47） 1）Fick’s扩散定律（一维） （1855） （物理本质是热力学中的化学势梯度） Fick’s First Law 由质量守恒，得 ， 因而， Fick’s Second Law 2）两种边界条件 a）恒定表面源浓度 即： 可得： 一余误差分布。 其杂质总量为： b）恒定杂质总量 Q 即： 可得： 为一高斯分布；其表面浓度为： 3）结深xj 在PN结的扩散中，衬底材料中已有导电性相反的杂质，其浓度为Csub。定义导电性转换处为结深xj ，即 （余误差） （高斯） 2.1. 3. 影响扩散系数的因素 1）晶向：一般情况下D[100]?D[111] 2）温度： D0为扩散率，E0为激活能； 考题： 1）设计一个实验来测定某杂质在硅中的扩散率和扩散激活能。 2）在一1100°C的硼扩散工艺中，要求结深为1?m，其误差不超过2%。问：1）若保证温度精确控制下，扩散时间的误差应低于多少？2）若保证时间精确控制下，扩散温度的误差应低于多少？（取A=5，D0= 0.76cm2/s，E0= 3. 46eV） 3）恒定表面源扩散时的CS由什么决定？ 3）高杂质浓度及空位性缺陷的场助增强扩散作用（？） 可以有：Deff=2D，（Nni） 2.1. 4. PN结制造中的扩散工艺(p.44-45) 1）目标：有确定的表面浓度CS，有确定的杂质总量Q，有确定的结深xj。 2）常规工艺：先在恒定表面源的情况下扩散一短时间t1，使其在近表面处有一杂质总量为Q1的高浓度薄层，这一过程通常在氮气氛中进行，并被称为“预沉积扩散” (predeposition)；再在除去外部杂质源的情况下，在温度稍高的条件下使总量为Q1的杂质继续向内扩散，进行杂质的“再分布”(drive-in)，这一过程通常在氧气氛中进行。 （可否不用氧？实际工艺中还要复杂！） 3）再分布后的杂质总量、分布和结深 在无氧气氛时， 由于预沉积时间短且温度低，可以认为有 xj1xj2，因而，C（x，t）仍为高斯分布。