第五章几种新型薄膜材料及应用课件.ppt

5.3.3 透明导电薄膜的应用 透明导电膜在电子照相、太阳能电池、显示材料、防静电、热反射、光记录、磁记录等领域中有非常广泛的用途。表5-5列出了透明导电薄膜在电子照相、显示材料、防静电、热反射、光记录、磁记录等领域的应用。 应用领域 特性要求 用途 一些有用性质 表面电阻/(?/?) 透光率/% 电子照相记录 104~107 ?80 幻灯片、缩微胶片 面积大、可弯曲、透明度高 固定显示 ?5?102 ?85 EL、液晶、电致变色 重量轻、厚度薄、易加工、耐冲击 光存储器 ?103 ?80 热塑型记录、铁电存储器 面积大、可弯曲、透明度高 终端设备 ?5?103 ?80 透明平板（透明开关） 面积大、可弯曲 防静电（静电屏蔽） ?109 ?85 金属窗、电视阴极射线管、温室窗、电磁场屏蔽 耐冲击、可弯曲、面积大、易加工、易加工 光电转换器件 ?5?102 ?80 太阳能电池异质窗光放大器 易加工、透明度高 热反射 ?102 ?80 热反射选择性透射膜 面积大、耐冲击 面积发热体 ?5?102 ?80 除霜、飞机、汽车、制冷机 耐冲击、面积大、透明度高 表5-5 透明导电薄膜的用途及性能要求 5.4 CuInSe2(CIS)薄膜及薄膜太阳能电池 5.4.1 CIS和CIGS薄膜太阳电池 铜铟硒（CuInSe2，简称CIS）是最重要的多元化合物半导体光伏材料。由于它具有高的转换效率、低的制造成本以及性能稳定而成为国际光伏界研究热点之一，很有可能成为下一代的商品化薄膜太阳能电池。CIS薄膜太阳能电池不存在光致衰退问题。因此，CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。最近报道说，美国科罗拉多国立可更新能源实验室（NREL）开发了一种掺极少量Ga的CIS，效率竟达到19.5%。 CuInSe2是一种三元I-III-VI2族化合物半导体，CuInSe2是直接带隙半导体材料，77K时的带隙为Eg=1.04eV，300K时Eg=1.02eV，其带隙对温度的变化不敏感，吸收率高达105/cm。 CIS电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法、Cu-In合金膜的硒化处理法（包括电沉积法和化学热还原法）、封闭空间的气相输运法（CsCVT）、喷涂热解法、射频溅射法等。真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜、铟和硒，硒化法是使用H2Se 叠层膜硒化，但该法难以得到组分均匀的CIS。 CIS作为太阳能电池的半导体材料，具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点，将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。唯一的问题是材料的来源，由于铟和硒都是比较稀有的元素，因此，这类电池的发展又必然受到限制。 CuInSe2(CIS)半导体太阳能电池，具有稳定、高效、低价、环保等特点，越来越受到科学工作者的重视，国外各研究机构已投入大量财力进行这方面的研究，目前已取得了可喜的研究成果。 CIS材料可以掺杂成为N型或P型半导体，制成同质结器件。由于CdS薄膜是宽带隙材料，适合作为窗口层，CIS又具有高吸收特性适合作为吸收层，所以大部分太阳能电池都制成P型CIS与N型CdS异质结。CIS的吸收层的吸收性能是至关重要的，CIS材料的带隙是1.02eV，而太阳光的吸收要求材料的最佳带隙是1.45eV左右，为了提高材料的带隙宽度，在CIS中掺入一定比例Ga，制成Cu(In,Ga)Se2，使其能最大限度地吸收太阳光。实验证明，用Cu(In,Ga)Se2作为吸收层，能大大提高电池的效率。 CIGS的制备方法很多，物理方法有单源多源蒸发法、溅射、MOCVD、MBE等，由这些方法可以衍生出了多种制备方法，如密封空间气相输运法（CSVP）、脉冲激光沉积法（PLD）、快速热处理（RTP）法等。这些方法制备的薄膜的主要特点是致密，成分纯度高，光电特性比较稳定，制备速度相对较快。 缺点是需要高真空系统，造价较高，大面积制备均匀性较差。化学方法有高温分解喷涂法、电化学沉积法、化学沉积法方法等。通过它们衍生出来的各种制备方法具有可实现大面积制备，价格低，制备效率高，制备系统稳定性好等特点。缺点是沉积速度较慢，薄膜致密性较差，电池的效率也相对较低。 5.5 金刚石薄膜 5.1概述 金刚石是自然界中硬度最高的物质，金刚石的热导率是所有已知物质中最高的，室温（300K）下金刚石的热导率是铜的5倍。金刚石是一种宽禁带材料，其禁带宽度为5.5eV，因而非掺杂的本征金刚石是极好的电绝缘体，它的室温电阻率高达1016??cm。 金刚石中电子和空穴的迁移率都很高，分别达到2200 cm2/(V?s)和1600 cm2/(V?s) 。 金刚石透光范围宽，透过率高，除红外区（1800~2500nm）的一小带域外，从吸收端紫外区域的225nm到红外区的25mm波段范围内，金刚石的透射性能优良，它还能透过X光和微波。