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现代电力电子器件 IGBT 姓名：王俊利 指导老师：戴陶珍 专业：电气工程 班级：24班 学号：2012022424 IGBT 一、IGBT的概况 电力电子技术是以电力为对象的电子技术，它的主要任务是对电能进行控制和变换。电力电子技术已成为信息产业和传统产业之间的重要桥梁，成为支持多项高新技术发展的基础手段，它将为进一步节能、节材、提高生产效率提供强有力的手段。而电力电子技术的基础是电力电子器件，它随电力电子器件的发展而发展。目前最常用的电力电子器件是IGBT（绝缘栅双极晶体管）。 IGBT是一种新型的集成复合器件，是由MOSFET和晶体管技术结合而成的复合型器件。它集成了功率MOSFET的工作速度快、输入阻抗高、热稳定性好以及驱动电路简单等优点，又集成了GTR和GTO的阻断电压高、载流能力强等优点，扬长避短，使其特性更加优越，在电机、中频和开关电源，以及要求快速、低损耗的领域备受青睐，非常适合应用于直流电压为600V及以上的的交流系统如交流电机、变频器、开关电源，照明电路、牵引传动等领域。 目前IGBT的研究水平在不断发展，其特性是进一步降低通态压降和提高工作速度。产品已模块化，根据封装形式分为四类： （1）单独的IGBT，容量达15~400A,400~1200V； （2）半桥IGBT，容量达15~75A，500~1000V； （3）全桥IGBT，容量达18~32A，400~500V； （4）三相IGBT，容量达15~100A，400~1200V。 二、IGBT发展前景 能源时代，IGBT 兴起：能源高效、清洁利用的核心都在于各种能源形式的高效控制、高效转换，而 IGBT 作为新型功率半导体器件，其性能优越，广泛应用于轨道交通、风电与太阳能、电动汽车、家用电器等领域。 市场广阔，同时集中度很高：2010年全球 IGBT需求预计达到 30亿美元左右，而中国 IGBT 市场有望从 2009 年的 4.30 亿美元，上升到 2014 年的9.75亿美元，增长一倍以上。目前 IGBT市场为日本和欧美企业所垄断，前4名企业合计占有超过 75%的市场份额。 南车投资大功率 IGBT 产业化项目：今年 5 月 25 日，南车大功率 IGBT 产业化基地启动，该项目由南车株洲所实施，总投资 14 亿元，预计 2013 年正式投产。建成后，该基地将具备年产 12 万片 8 英寸 IGBT 芯片和 100 万只大功率 IGBT器件的能力，年产值超过 20亿元。 巩固领先地位，形成业务互相促进：综合技术储备、产品积累、产业配套的三大优势，南车将在国内 IGBT 技术突围和产业化中巩固领跑地位。该项目的实施，不仅促进大功率机车、高速动车组的核心零部件国产化，同时与其风电、电动汽车、电机等产品形成互相促进的作用。 意义重大：IGBT 项目体现了高速动车组作为高端装备，其对于中国制造业的推动作用，正如美国的航空航天产业是其制造业的推进器一样。这也预示着：屡创世界第一的中国轨道交通装备产业，还将孕育更多的核心技术，更多的中国制造突破的故事。中国南车的新产业，也正在从其高速动车组取得的巨大成功中汲取力量，创造更多的新的辉煌！ 三、IGBT的工作原理 上边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。 IGBT的开通和关断石油门极来控制的。门极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。在门极上施以负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即为关断。 I