GaN基高亮度白光发光二极体.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * GaN基高亮度白光發光二極體 ---照明領域的又一次革命 葉國光 半導體發光二極體及其發展歷史 發光二極體Light-EmittingDiode 是由數層很薄的摻雜半導體材料製成。當通過正向電流時，n區電子獲得能量越過PN結的禁帶與p區的空穴複合以光的形式釋放出能量。 發光效率lm/w 12.5 55 發光二極體的發展 年代 發光顏色 材料 發光效率lm/w 1965 紅 Ge 0.1 1968 橙、黃 GaAsP 1 1971 綠 GaP 1 80年代 紅 AlGaAs 10 90年代初 紅、黃 GaAlInP 100 90年代 藍、綠 GaInN 50 90年代 藍 GaN 200 第三代GaN半導體材料特點 寬頻隙化合物半導體材料，有很高的禁帶寬度（2.3 —6.2eV)，可以覆蓋紅、黃、綠、藍、紫和紫外光譜範圍 ，是到目前為止其它任何半導體材料都無法達到的 高頻特性，可以達到300GHz（矽為10G，砷化鎵為80G） 高溫特性，在300℃正常工作（非常適用於航太、軍事和其它高溫環境） 電子漂移飽和速度高、介電常數小、導熱性能好 耐酸、耐鹼、耐腐蝕（可用於惡劣環境） 高壓特性（耐衝擊，可靠性高） 大功率（對通訊設備是非常渴望的） GaN固體光源的應用 半導體白光照明 車內照明 交通信號燈 裝飾燈 大螢幕全彩色顯示系統 太陽能照明系統 其他照明領域 紫外、藍光雷射器 高容量藍光DVD、鐳射列印和顯示、軍事領域等 LED照明的優勢 發光效率高，節省能源 耗電量為同等亮度白熾燈的10%-20%，螢光燈的1/2。 綠色環保 冷光源，不易破碎，沒有電磁幹擾，產生廢物少 壽命長 壽命可達10萬小時 固體光源、體積小、重量輕、方向性好 單個單元尺寸只有3~5mm 回應速度快，並可以耐各種惡劣條件 低電壓、小電流 半導體照明是21世紀最具發展前景的高技術領域之一 日本、美國、歐盟、韓國等國家和地區都相繼制定了本國的半導體照明計畫 我國科技部於2003年6月成立“國家半導體照明工程”協調領導小組，在“十五”期間，從國家層面推出“半導體照明工程” 如果我國1/3照明應用半導體照明，每年可以節約的電量1000億度，多於一個三峽水電站的發電量（800億度） 地區＼條件·效益 條件 能源節約 降低二氧化碳排放 美國 5％白熾燈及55％日光燈被白光LED取代 每年節省350億美元電費。 每年減少7.55億噸二氧化碳排放量。 日本 100％白熾燈被白光LED取代 可少建1-2座核電廠。 每年節省10億公升以上的原油消耗。 臺灣 25％白熾燈及100％日光燈被白光LED取代 節省110億度電，約合1座核電廠發電量。 半導體照明具有巨大的市場潛力 預計到2005年全球LED市場需求量約為2000億隻，市場需求將以每年30%的速度遞增，世界許多公司都積極投入LED的研發生產。 主要有日本的日亞化學、住友電工、豐田合成、羅沐、東芝和夏普，美商Cree，全球3大照明廠奇異、飛利浦、歐司朗以及HP、Siemens、Research、EMCORE等 高亮度白光發光二極體的製造工藝 制約GaN基LED發展的因素 技術難點 解決方法 大濃度的背景電子 兩步外延生長法—在襯底上生長緩衝層 雙流MOCVD p型材料難以制得 1992年，Nakamura等採用Mg摻雜的GaN經退火處理實現了GaN樣品的p型化 很難找到熱性能和晶格常數和GaN相匹配的襯底材料 GaN襯底 採用SiC襯底 在藍寶石襯底上先生長一層緩衝層—AlN 外延橫向過生長技術 其他襯底 高亮度白光LED的實現 基於藍光LED，通過黃色螢光粉激發出黃光，組合成為白光 通過紅、綠、藍三種LED組合成為白光 基於紫外光LED，通過三基色粉，組合成為白光 發光二極體的製造工藝過程 製造襯底 封狀成 成品 製造 晶片 製造發光二極體外延片 例如GaAs、Al2O3、SiC等 例如MOCVD 一片2直徑英寸的外延片可以加工10000多個LED晶片 GaN外延片生長技術 GaN外延片的生產主要採用薄膜沉積的方法 HVPE（鹵化物氣相外延） MBE（分子束外延） MOCVD（有機金屬化學氣相沉積） 生長溫度低（600oC）、可精確控制薄膜厚度和組分、p型薄膜摻雜濃度高，適於生長要求界限分明、組分控制精度高的器件結構。 生長速率太慢 Ga(CH3)3 + NH3 GaN + 3CH4 1000oC GaCl + NH3 GaN + HCl + H2 Nakamura等設計的垂直雙流MOCVD常壓反應器 MOCVD工藝方法由於生產設備相對