固体的导电性教学课件.ppt

§ 7.1 金属 二、金属的电导率 （5-37）式的积分结果可以写成： (5-38) 上式中，K0表示E=E0F时的K值，它当然也是在K空间球形等能面E=E0F的半径。由于该等能面内包含的状态数应等于电子数N，因此有： 所以： （5-39） 其中，n是金属中电子的密度。 § 7.1 金属 二、金属的电导率 （5-39）式代入（5-38）式得： （5-40） 若Λ是电子的平均自由程，则Λ=τvF，其中vF是金属电子的费米速度，这时电导率可以写成： (5-41) 可以证明，在弹性散射、等能面是球面以及散射是各向同性的条件下，弛豫时间就是平均自由时间。 § 7.2 半导体 一、半导体的类型 本征半导体 能量空间的物理图像： 坐标空间的物理图像： 本征半导体的特征： ne=nh § 7.2 半导体 一、半导体的类型 掺杂半导体—n型半导体 能量空间的物理图像： 坐标空间的物理图像： n型半导体的特征： nenh 杂质能级 施主电离能：EI=EC-ED 杂质之间的距离远大于晶格常数，杂质原子所束缚的电子波函数不发生交迭，能级相同 § 7.2 半导体 一、半导体的类型 掺杂半导体—p型半导体 能量空间的物理图像： 坐标空间的物理图像： p型半导体的特征： nenh 受主电离能：EI=EA-EV p型半导体的导电机制 § 7.2 半导体 一、半导体的类型 掺杂半导体的补偿效应 杂质补偿：在通常的一个半导体材料中，往往同时存在施主和受主两种类型的杂质，受主能级将被施主电子所填充，这一现象叫杂质补偿。此时，半导体的导电类型主要取决于掺杂浓度高的杂质。 掺杂与导电：常温下，掺杂半导体的导电性质主要取决于掺杂水平；高温时的导电性质呈现本征半导体的特点。 § 7.2 半导体 二、热激发载流子 能带的态密度 态密度： 导带和价带的态密度： 导带： 价带： § 7.2 半导体 二、热激发载流子 本征半导体的载流子浓度 电子： 空穴： EF § 7.2 半导体 二、热激发载流子 质量作用定律与费米能级 质量作用定律： 本征半导体的费米能级： § 7.2 半导体 二、热激发载流子 掺杂本征半导体 室温下本征半导体载流子浓度： 电中性平衡条件： 在掺杂前，本征半导体要提纯到高纯度，才能保证掺杂的有效性； ? § 7.2 半导体 二、热激发载流子 掺杂半导体(续) 掺杂浓度： Fermi能级： n型掺杂 p型掺杂 § 7.2 半导体 三、载流子的输运性质 半导体的电导率 电子的电导率： 空穴的电导率 § 7.2 半导体 三、载流子的输运性质 半导体的迁移率 掺杂半导体的电导率与温度的关系 实际的半导体迁移率还与能带结构有关 弛豫时间的估计 1018/cm3 1016/cm3 1013/cm3 1/T 0.05 0.10 Conductivity(S/cm) 10-2 100 102 n-Ge § 7.2 半导体 三、载流子的输运性质 Hall效应 外磁场下电子的运动： 简单估计： 开路条件 比较： 比较： § 7.2 半导体 三、载流子的输运性质 Hall效应（续） 两种载流子的霍尔效应： 开路条件 A V § 7.2 半导体 四、半导体的能带结构 Si、Ge的能带结构 导带底 价带顶 间接 带隙 § 7.2 半导体 四、半导体的能带结构 GaAs的能带结构 直接带隙 中心谷 卫星谷 § 7.2 半导体 四、半导体的能带结构 能带结构测量-电子回旋共振方法 磁场下电子的本征回旋频率： 有效质量测量： W ～ B ? § 7.2 半导体 四、半导体的能带结构 半导体的有效质量 三维能带及有效质量张量： 外磁场下电子的回旋共振频率： 外磁场： 外磁场下的运动方程： 有效质量张量 § 7.2 半导体 四、半导体的能带结构 半导体的有效质量(续) § 7.2 半导体 四、半导体的能带结构 电子的回旋共振吸收谱与能带结构 n型Ge的回旋共振吸收谱 导带底在布里渊区的?轴(8个111) 有效质量具有旋转椭球形状 § 7.2 半导体 五、半导体器件 p-n结 p-n结的形成：载流子的扩散 内建电场： p-n结两边掺杂愈多，势垒愈高；势垒宽度随掺杂的增加而下降。 内建电场 § 7.2 半导体 五、半导体器件 p-n结的整流特性 电场对p-n结的影响： 正向偏压：