固体物理基础能带理论Ⅰ课件.ppt

§5.5 导体、绝缘体与半导体 二、部分填充能带可以产生电流 产生直流电流，必需有非弹性碰撞 §5.5 导体、绝缘体与半导体 三、近满带和空穴 设想带中只有一个态k未被占据 该带的全部电子的运动，等价于正电荷的运动——空穴 §5.5 导体、绝缘体与半导体 四、导体、绝缘体和半导体的能带论解释 金属的自由电子模型能够解释电导的一些特性 但不能说明固体材料为什么有导体、绝缘体之分 能带理论给出了一些合理的解释 这是它的一个重大成就 也奠定了现代导体、绝缘体和半导体的理论 §5.5 导体、绝缘体与半导体 四、导体、绝缘体和半导体的能带论解释 1、导体、绝缘体模型 非导体： 电子恰能填满最低的一系列能带，其余各带是空的 导体： 下面各带完全填满，还存在一导带，是部分填满的 导带 §5.5 导体、绝缘体与半导体 四、导体、绝缘体和半导体的能带论解释 2、半导体 在T=0K时，纯净的半导体是绝缘体 存在最高的满带：价带V 最低的空带： 导带C 费米能级EF 在带隙中 带隙Eg较小（与绝缘体比较） §5.5 导体、绝缘体与半导体 四、导体、绝缘体和半导体的能带论解释 3、半导体的激发 本征激发：T0K时，半导体中电子从价带激发到导带上，形成导电能力。 杂质激发：半导体中有杂质原子时，电子可以在杂质原子与半导体的原子间激发。 本征半导体：高纯度半导体，杂质贡献可忽略 杂质半导体（非本征半导体）：杂质贡献明显 §5.5 导体、绝缘体与半导体 四、导体、绝缘体和半导体的能带论解释 金属、绝缘体、半导体的能带特征 § 5.2 近自由电子近似 一、模型和微扰计算 当△→0时： 类似于两个波形成共价键的处理方法： 可解出： § 5.2 近自由电子近似 一、模型和微扰计算 结论： 在布里渊边界，发生“能级的排斥” § 5.2 近自由电子近似 二、能带和能隙 1.能带和能隙 自由电子能量（空盒子模型）受到周期性势的作用。 k 远离 nπ/a 处的态（λ= na) 受到的影响较小； 在nπ/a 处的态影响很显著，E(k)断开形成突变 。 § 5.2 近自由电子近似 二、能带和能隙 2.简约波矢（区）第一能带称为简约区，相应的波矢为简约波矢 这些态形成一些（准）连续的能级—能带 能带间的能量差 —— 能隙。 电子不能以能隙中的能量存在。 第m个带（不含简约区）的波矢 § 5.2 近自由电子近似 二、能带和能隙 § 5.3 紧束缚近似 —— 原子轨道线性组合法 Linear Combination of Atomic Orbitals LCAO § 5.3 紧束缚近似 紧束缚近似是凝聚态理论中使用最广泛的模型 模型思想：电子在一个原子(格点)附近时，主要受到该原子势场的作用，而将其它原子势场的作用看作是微扰 将晶体中电子的波函数近似看成原子轨道波函数的线性组合（LCAO)，得到原子能级和晶体中电子能带之间的关系 适合过渡金属中很重要的3d能带等，能带低而窄，壳层半径比晶格常数小得多。 § 5.3 紧束缚近似 一、单原子的束缚态（一维） 简记： § 5.3 紧束缚近似 二、电子在晶格中的Schordinger方程 晶体的周期性势场 ——所有原子的势场之和 § 5.3 紧束缚近似 三、晶体中电子的波函数 被称为：原子轨道线性组合(LCAO) 原因： ① 电子在原子间隧穿，在各原子附近有出现的几率～|am|2 ② N 个简并态的简并微扰。 波函数 为 的线性迭加 叠加系数 § 5.3 紧束缚近似 三、晶体中电子的波函数 基本要求:(1)正交性： (2) 满足布洛赫定理： 证明 § 5.3 紧束缚近似 四、微扰能量 H作用在ψ(x)上: § 5.3 紧束缚近似 四、微扰能量 简记为： 两边左乘： § 5.3 紧束缚近似 四、微扰能量 J反映不同原子波函数的交迭情况 令： § 5.3 紧束缚近似 四、微扰能量 § 5.3 紧束缚近似 四、微扰能量 当 采用紧近邻近似： S波，各向同性，J(a)=J(-a) § 5.3 紧束缚近似 五、布里渊区 K的取值满足周期性边界条件： 晶格的周期性要求，相差倒格矢的波矢等价： εn(k)是k的周期函数，可以限制在第一布里渊区,对确定的 i,共有 N 个能级——能带，i 是带指标 § 5.3 紧束缚近似 六、原子能级与能带的对应 § 5.3 紧束缚近似 六、原子能级与能带的对应 一个原子能级?i对应一个能带，不同的原子能级对应不同的能带。当原子形成固体后