场和物质相互作用固体的光特性.ppt

固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 电子-空穴对复合发光 光吸收的逆过程，即导带电子跃迁到价带空能级，电子与空穴复合，发射光子 一般情况下发射光子能量约等于带隙宽度 原因：电子集中于导带底，而空穴集中于价带顶 直接带隙材料发光几率远高于间接带隙半导体 制作发光器件，得用直接带隙半导体 发光波长确定于带隙宽度 本征辐射复合——自发辐射 导带电子-价带空穴 自由激子复合发光，与带-带辐射相差激子束缚能 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 辐射复合速率与辐射复合寿命 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 因为 当小注入条件下，假设是n型半导体，即n0Δn，n0p0，则 B：单位时间内的辐射复合几率cm3s-1 辐射复合效率（内量子效率） 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 假设存在非辐射复合，寿命为τnr 则辐射复合效率 载流子寿命τ满足 外量子效率 辐射复合产生的光子并不是全部都能离开晶体向外发射。这是因为： 光子通过半导体可以被再吸收 半导体材料的折射率一般是2～4，光子在界面处很容易发生全发射而返回到晶体内部 定义外量子效率 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 受激辐射 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 吸收 自发辐射 发射的光子不具相干性 受激辐射 发射的光子是相干的 （频率、相位、偏振、方向） 激光器的工作原理 半导体光电器件 光吸收 光探测器：光电导型、光伏型 光电池 光发射 发光二极管 激光二极管 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 清华大学电子工程系 汪莱 第七章 场和物质相互作用 （固体的光特性） 光通过固体的基本过程 反射(Reflection) 传播(Propagation) 折射(refraction) 吸收和发光(absorption and luminescence) 散射(scattering) 非线性光学现象(nonlinear optics) 透射(Transmission) 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 主要内容 7.1 固体中的光吸收过程 7.2 半导体的发光特性 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 固体中的各种光吸收过程 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 半导体的光吸收机制 1、本征光吸收 特点：吸收系数高 本征吸收边的能量位置与禁带宽度相适用 吸收边存在精细结构，存在所谓激子吸收 吸收系数高，达到105～106 cm-1 2、自由载流子吸收 导带电子或价带空穴的带内跃迁 吸收系数与载流子有关 3、晶格振动吸收峰 红外区，存在与晶格振动相联系的吸收峰 吸收系数可达105 cm-1 4、杂质吸收 浅能级杂质的吸收，只有在较低的温度下才观察到 5、磁吸收和回旋共振吸收 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 半导体的本征光吸收 测定能隙的最佳方法之一是光吸收 能量合适的光可以激发价带电子跃迁到导带 形成电子-空穴对，称为本征光吸收 基本条件是光子能量大于阈值： 光波长 最大波长称为本征吸收边 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 直接带隙和间接带隙 典型： GaAs InP GaN 典型： Si Ge C GaP 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 竖直跃迁（直接带隙材料） 跃迁对应于导带底和价带顶在k空间相同点 跃迁须满足能量守恒外，还有准动量守恒关系准则 视光引入的电磁场为微扰元 但是光子动量很小，对于1微米波长的光，波矢104 cm-1 布里渊区尺度为108 cm-1 竖直跃迁选择定则：近似为 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 载流子跃迁过程 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * InSb（铟锑材料的光吸收） 固体物理（2014 春） 清华大学电子工程系 汪莱 * 非竖直跃迁（间接带隙材料） 对应于导带底和价带顶在k空间不同点 此时本征吸收边附近的光吸收是非竖直跃迁 单纯依靠吸收光子不能使电子从价带顶跃到导带底 必须吸收光子同时，伴随吸收或