电致变色聚合物.pptVIP

氧化还原活性的电致变色聚合物引起的纳米立方体聚合物纳米材料的电调谐电浆行为 1、摘要 2、实验部分 3、结果分析 4、一般讨论与结论 1.摘要 我们提出了一种等离子体活性混合纳米材料设计，局域型表面等离子体共振的电化学可调谐性。 电浆活性纳米结构由银纳米立方体聚集体嵌入到的电致变色聚合物，再涂覆在由表面压力来控制铟锡氧化物电极的纳米立方体聚合体上组成。 （FDTD）模拟结果表明，在完全氧化电位下，可潜在地实现一个最大的光谱约移位为80nm，其对应于每单元折射率178纳米的高灵敏度。 时域有限差分建模表明的等离激元峰的电化学控制可调谐性是由于在外部电势下的氧化或还原反应，引起的电致变色聚合物涂层的折射率可逆的变化造成的 在这些结果的基础上，我们认为各向异性纳米结构和电致变色基体的组合有可能在整个可见光谱中使可逆电调谐电浆共振。 2.实验部分 银纳米立方体合成 通过LB（朗缪尔布洛杰特）法组装ITO电极上的银纳米立方体 电致变色聚合物蓝（ECP-蓝-WS） 聚合物涂层ITO滑片的制备 光谱电化学和循环伏安法 折射率测量 FDTD时域有限差分仿真 实验装置和银纳米立方体聚合作为ITO的玻璃基板上形成的LB单分子层的AFM及SEM图像。在54纳米立方体都覆盖有一层水溶性的电致变色聚合物（ECP-蓝-WS）中的电解质溶液。一个2nm的粗糙度值被用于计算粗糙的ITO表面（a）所示。银纳米立方体在不同放大倍数的单层的AFM图像（b，c）（在SEM图像边界（b））的。在ECP-蓝-WS重复单元（d）的化学结构。 通过LB法和聚合物涂层形成的银纳米立方体上的氧化铟锡（ITO）电极组件。三种不同厚度的聚合物层（D =25，55，和120纳米）电极纳米立方体ECP组件）是通过改变聚合物溶液的浓度而得到的（图1）。这让我们研究了三种不同的情况：聚合物部分地覆盖银纳米立方体的侧面，聚合物完全覆盖纳米立方体的侧面，和聚合物完全覆盖纳米立方体的所有面 纳米立方体嵌入聚合物涂层的光谱电化学。质子化的ECP-蓝-WS膜经历了在蓝色，中性和透射氧化状态之间的电化学转换。这些聚合物中典型施加电势是支持电解质完全氧化为正800毫伏（相对于Ag/ AgCl参比;所有进一步电位被报告给此供参考）。由于银的低氧化电势时，光谱电化学条件必须进行修改，以避免银纳米立方体的降解。当在使用不加电解质的净化水（电导率2μS/ cm）时，观察到银纳米立方体氧化发作转移到260毫伏（相对于Ag/ AgCl电极）。在这些结果的基础上，下面用银纳米立方体做的循环伏安法和光谱电化学实验电势被限制在﹣200和﹢200毫伏之间。 3.实验结果分析 作为对照实验中，我们研究了等离子共振位移作为在没有聚合物层中的水中施加的电位的函数（见表1） 当外加电位循环在 - 200到+200 mV之间时，纳米立方体的单层没有显示等离子峰的显著转变。 根据电化学氧化和还原聚合物涂层覆盖ECP-蓝-WS银纳米立方体进行的可逆的等离激元的变化实验示范。（d= 55毫微米）（a）一个开关周期内的紫外可见光谱：（b）单体峰和（c）聚合峰。红色和蓝色箭头表示在电化学氧化相反的等离子共振变化。 在ECP-蓝-WS的氧化还原转换的折射率变化对两者的单体和聚合的峰的位置产生深远的影响。图2显示出在-200到+200毫伏之间施加以100 mV递增循环的电势的一个氧化还原循环反应所对应的紫外可见光谱。在纳米立方体上一个55纳米厚的聚合物层的电化学氧化导致单体峰的3纳米的红移和聚合峰值的24纳米的蓝移（红移，从449到446纳米，蓝移，从608到633纳米）。这些发现相关联的行为从时域有限差分模拟中预测到（总结于表1）。一种电化学还原导致可逆等离子共振移。同为55nm的中间层的厚度，我们发现与理论预测的变化（表1）具有良好的一致性。与聚合峰对比，单体峰显示了ECP的峰不重叠，并且更容易识别 a）以100 mV递增的首先6个周期（b）循环带的最大和最小电势（﹢200和﹣200毫伏）。垂直蓝线和红线分别标出-200和+200 mV的数据点，红线上的数字表示的循环数。 图3显示当使用一个ECP时电浆变速的可逆性。多达11个周期伴随着峰值位置逐渐偏移观察到可逆转换行为。此长期漂移可以通过ECP解释说明，ECP导致介质折射率的增加，而这些折射率也是与等离子体峰值漂移的方向相一致的。重要的是，实验电化学循环后，以上水的电导率增加幅度为43μS/厘米，很有可能是由于从聚合物膜截留的离子的浸出。 我们观察到，增加聚合物的厚度不导致等离子共振移位的增加。聚集峰为聚合物（仅吸收）和等离子共振（吸收和散射）之间的重叠。 图4在空气中银纳米立方体聚集在ITO电极的性能。实验测得的消光截面，聚集峰反卷积和纳米立方体聚合的统计分布（a）所示。