中子散射简介课件.ppt

介质j 介质i θi 界面 nj θj θi 入射波 反射波 ni O Z X Y 折射波 中子在两种介质界面处的镜反射和折射示意图(nj ? ni ) 中子反射的基本概念、定律和关系式 Snell定律 当nj? ni时，?i ? ?j，中子从第i中介质进入第j中介质时会发生全反射现象，当掠折射角为零时所对应的掠入射角称为临界角（记为?c），由Snell定律可以计算出发生全反射的临界掠入射角?c的大小 中子反射的基本概念、定律和关系式 当?i ? ?c时，发生全反射，反射率R=1；当?i ? ?c时，反射率 Q/Qc R 中子反射的基本概念、定律和关系式 ~ 中子与中子源 Pulsed spallation source e.g., ISIS (IPNS, KENS, LANSCE) 200 μA, 0.8 GeV, 160 kW;2x1013 n/cm2/s average flux; 8x1015 n/cm2/s peak flux Advantages: high peak flux advantageous time structure for many applications accelerator based – politics simpler than reactors technology rapidly evolving Disadvantages: low time averaged flux not all application exploit time structure rapidly evolving technology 中子与中子源 中子散射的基本概念 散射长度与散射截面 中子散射的基本散射体是核而不是电子，仅在被磁性材料散射时要考虑电子散射。大多数原子的中子散射是很相似的，散射振幅的差别在2－3倍之内。 散射截面：σ＝4πb2 b具有长度量纲，称之为“散射长度”。 中子散射的基本概念 按照复合核模型的布雷特－魏格纳公式： 在有规律的势散射变化上叠加了核共振的随机效应，散射长度随A的增加略有增加，但叠加了很大的不规则变化，对每种核b都是不同的。有时甚至为负值，如H、V等。 中子散射的基本概念 相干与非相干 上面的讨论没有考虑核自旋及同位素效应 由于核和中子自旋取向的随机性及同位素在原子位置上的随机分布，会引起非相干散射效应 相干散射长度是散射长度b对各种同位素以及它们的自旋不为零的平行态和反平行态的平均值。 相干散射是分布在空间的粒子对的关联(互关联)。而非相干散射是各个粒子与自己的关联(自关联)。 中子散射的基本概念 散射函数与关联函数 散射截面基本上由两个因子乘积决定： 一个是散射长度(即σ)，它与中子和散射系统各单位粒子之间的相互作用有关； 一个是散射函数S(Q,?) ，它与中子性质无关，只与散射系统内粒子的相对位置和运动即粒子间的力和系统温度有关。 中子散射的基本概念 散射函数与关联函数 散射函数S(Q,?)是关联函数G(r,t)的时空傅里叶变换: 关联函数不只是对计算散射系统的各种性质有用，同时它能使我们对出现在散射截面公式中各项的物理意义有一深刻的理解。 除非对很简单的系统, 给出严格的数学表达式是不可能的，必须做近似，可用散射系统的物理模型进行计算。 中子散射技术的应用及典型设备 Scattering Angle 2? Incident Beam Non-Scattered Beam Scattered Neutrons Measure scattered neutrons as a function of Q and w ?? S(Q,w). w = 0 ?? elastic w ≠ 0 ?? inelastic w near 0 ?? quasielastic Sample 中子散射技术的应用及典型设备 弹性相干散射 非弹性相干散射 非弹性非相干散射 准弹性散射 磁散射 中子光学镜面反射 弹性相干散射 - 测量S(Q) 衍射：Q ＝?，? ：倒易晶格矢量 粉末衍射: 二轴粉末中子衍射谱仪 单晶衍射: 四圆中子衍射谱仪 用于静态结构的测定和织构、残余应力等的测量。 弹性相干散射 - 测量S(Q) L1 L2 Detector Neutron Source Sample 2? 弹性相干散射 小角中子散射： 即小Q散射 典型设备是小角中子散射谱仪，主要用于研 究尺度在几十-几千?范围内物质结构的非均匀性，确定非均匀性的大小、形状和分布。 漫散射 主要由晶体内的成分无序和位移无序引起的漫 弹性散射。漫散射谱仪主要是用于研究固体的无序现象，如短程有序、点缺陷、杂