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第3章 逻辑门电路;目录:;3.1 概述;获得高、低电平的基本原理;正逻辑:高电平表示1,低电平表示0负逻辑:高电平表示0,低电平表示1;数字电路的分类;集成电路;3.1.2 半导体基本门电路;二、 二极管与门;三、 二极管或门;四、三极管非门电路;;解决办法:
将二极管与门(或门)电路和三极管非门电路组合起来。;DTL与非门电路;3.2.1 双极型三极管的开关特性
3.2.2 TTL反相器的电路结构和工作特点
3.2.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性
3.2.4 TTL反相器的动态特性
3.2.5 其它类型的TTL门电路
3.2.6 TTL数???集成电路的各种系列
;一、双极型三极管的结构;二、三极管的输入特性和输出特性;2、输出特性;三、双极型三极管的基本开关电路;3.2.2 TTL反相器的电路结构和工作原理;3.2.2 TTL反相器的电路结构和工作原理;二、电压传输特性;三、输入端噪声容限;3.2.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性;二、输出特性;二、输出特性;三、输入端负载特性VI=f(RP);3.2.4 TTL反相器的动态特性;二、电源的动态尖峰电流;2.动态尖峰电流;3.2.5 其他类型的TTL门电路;2. 或非门;3.与或非门;二、集电极开路的门电路(OC门);1. OC门的结构与逻辑符号;2.OC门实现的线与;3. RL的计算;3. RL的计算;三、三态输出门(Three State Output Gate ,TS);3.5.6 TTL集成电路的各种系列;肖特基系列(74S);抗饱和三极管;3.3 其他类型的双极型数字集成电路*;3.4 CMOS门电路3.4.1 MOS管的开关特性;以N沟道增强型为例:;
(1) VIL=0时,D-S间不导通,MOS管截止,ROFF109Ω,开关断开
(2) 加上足够高的+VIH,且大于VGS(th),D-S间形成n型导电沟道,MOS管导通, RON1KΩ,开关接通
D-S间相当于是一个受VI控制的开关;三、 MOS管的开关等效电路;四、MOS管的四种类型;3.4.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;3.4.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;二、电压、电流传输特性;二、电压、电流传输特性;三、输入端噪声容限;结论:可以通过提高VDD来提高噪声容限;3.4.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性;一、输入特性;二、输出特性;二、输出特性;3.4.4 CMOS反相器的动态特性;三、动态功耗;三、动态功耗;三、动态功耗;总结:VDD对性能的影响;3.4.5 其他类型的CMOS门电路;与非门的特点:;3.带缓冲极的CMOS门;3.带缓冲极的CMOS门;二、漏极开路的门电路(OD-OpenDrain门);2.OD门的应用; 线与;3.OD门外接电阻RL的计算方法;3.OD门外接电阻RL的计算方法;3.OD门外接电阻RL的计算方法;三、 CMOS传输门(TG门);三、 CMOS传输门(TG门);三、 CMOS传输门(TG门);四、三态输出门(TS门);三态门的用途——总线结构;3.4.6 CMOS电路的正确使用;二、输入电路的过流保护;3.4.7 CMOS数字集成电路的各种系列; 系列;3.5 集成逻辑门接口技术;3.5.1 TTL门驱动CMOS门
; 也可在CMOS门的输出端与TTL门的输入端之间加一CMOS驱动器。;外接负载:喇叭、继电器、发光二极管(LED);
(b)用TTL门电路驱动5V低电流继电器,其中二极管D作保护,用以防止过电压。
;2.带大电流负载;(2)对于或非门及或门,多余输入端应接低电平;也可以与有用的输入端并联使用。;补充:两种有效电平及两种逻辑符号;二、两种逻辑符号;逻辑关系;2.任一条线一端上的小圆圈移到另一端,其逻辑关系不变。; 举例:相同功能电路的两种逻辑符号比较例1.当A和B都为高电平或C和D都为高电平时,L为高电平,D亮。;作业:P110
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