第17章离子注入.pptVIP

集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 第17章 离子注入 目标 解释掺杂在硅片制造中的目的和应用 讨论杂质扩散的原理和过程 认识离子注入的优缺点 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性 解释离子注入中的退火效应和沟道效应 描述离子注入的各种应用 提纲 1.概述 2.扩散 3.离子注入 4.离子注入机 5.离子注入在工艺集成中的发展趋势 1.概述 掺杂是把杂质引入半导体材料的晶体结构中，以改变其电学性能。 受主杂质：硼(5) 常见施主杂质：磷(15)、砷(33)、锑(51) 两种掺杂方式：扩散、离子注入 掺杂区 在硅片制造过程中，有选择地引入杂质能够在硅片上产生器件。这些杂质通过硅片上的掩膜窗口，进入硅的晶体结构中，形成掺杂区。 硅片掺杂最受关注之处在于，整个工艺结束后器件中每一次掺杂的剖面情况。硅片在一套工艺中要经历多次高温过程，每次高温过程都会造成杂质在硅中的扩散。杂质扩散会改变原始掺杂区的参数并影响器件性能。因此要使硅片经历的温度最低化。 掺杂掩膜 杂质原子通过掩膜窗口进入固态硅。 离子注入中，这个掩膜通常是光刻胶，但由于它是一个低温工艺，也可以使用其他一些掩膜。 扩散掺杂是在高温炉中进行的，所以需要氧化物或氮化物作为掩膜。 2.扩散 扩散是物质的一个基本性质，描述了一种物质在另一种物质中运动的情况。 扩散分为三种：气态、液态和固态 扩散原理 硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。 预淀积为整个扩散过程建立了浓度梯度。表面的杂质浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。 推进是高温过程(1000-1250℃)，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深。 激活的温度要稍微升高一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键合，这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。 杂质移动 扩散率表示杂质在硅片中的移动速度，扩散率越高，杂质移动得越快。 扩散率随着温度的升高而增大，它们的关系可以用扩散系数D表示。 Fick定律 扩散的两种机制 在硅片中，杂质原子的扩散有两种机制：间隙式和替代式。 具有高扩散率的杂质，如金、铜和镊，容易利用间隙运动在硅的晶格空隙中移动。 移动速度较慢的杂质，如半导体扩散常用的砷和磷，通常利用替代运动填充晶格中的空位。 固溶度 在一定温度下，硅能够吸收的杂质数量是一定的，被称为固溶度极限。 每种确定的杂质都有一个固溶度极限。 硅中的杂质只有一部分被真正激活，并提供用于导电的电子或空穴。大多数杂质仍然处在间隙位置，没有被电学激活。 杂质源 在早期的半导体业纯杂质元素被用作杂质源。 但它们并不适用于亚微米IC制备。硼和磷在室温、低蒸气压下是固态的，很难融化或蒸发。用固态杂质源也很难控制杂质浓度。 杂质通常由化合物的气态或液态源提供。 3.离子注入 离子注入是一种向硅衬底中引入可控制数量的杂质，以改变其电学性能的方法。 它是一种物理过程，即不发生化学反应。 离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度，因而在几乎所有的应用中都优于扩散。 离子注入工艺在离子注入机内进行。 离子注入过程的主要目标 1.向硅片中引入均匀、可控制数量的特定杂质。 2.把杂质放置在希望的深度。 离子注入的优点 精确控制杂质含量 很好的杂质均匀性 对杂质穿透深度有很好的控制 产生单一离子束 低温工艺 注入的离子能穿过薄膜 无固溶度极限 离子注入的缺点 高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。大多数都能用高温退火进行修复。 注入的另一个缺点是注入设备的复杂性。 离子注入参数 剂量 射程 剂量 剂量(Q)是单位面积硅片表面注入的离子数，单位是原子每平分厘米。 Q＝It/enA Q=剂量，单位是原子每平方厘米 I＝束流，单位是库伦每秒（安培） t＝注入时间，单位是秒 e＝电子电荷，1.6×10-19C n＝离子电荷（比如B+等于1） A＝注入面积，单位是cm2 射程 离子射程指的是离子注入过程中，离子穿入硅片的总距离。 注入机的能量越高，意味着杂质原子能穿入硅片越深，射程越大。 投影射程Rp是注入离子在硅片中穿行的距离，决定于离子质量和能量、靶的质量和离子束相对于硅片晶体结构的方向。 注入离子在穿行硅片的过程中与硅原子发生碰撞，导致能量损失，并最终停止在某一深度。两个主要能量损失机制是电子阻碍和核阻碍。 4.离子注入机 离子源 引出电极和离子分析器 加速管 扫描系统 工艺室 硅片冷却 离子束轰击硅片的能量转化为热，导致硅片温度升高。 硅片冷却系统用来控制温度，防止出现由加热引起的问题。 通常硅片的温度控制在50℃以下，如果温度超过100℃，光刻胶就会起泡脱落，在去胶的时候很难清洗干净。 影响注入过程中硅片温度的因素有离子束能量、注入时间、扫描速度和硅片尺寸等。 退火 离子注入会将原子撞击出晶体结构而损伤硅片晶格。如果