测试技术与信号处理(第四章信号的获取(4-7)(3-29))合工大工程硕士课件.ppt

第四章 信号的获取 第一节 概 述 第二节 参数式传感器 第三节 发电式传感器 第四节 半导体传感器 第五节 智能传感器（集成传感器） 第六节 传感器的选用原则 第七节 应用实例 第四节 半导体传感器 半导体材料有一个重要特性是对光、热、力、磁、气体、湿度等理化量的敏感性。利 用半导体材料的这些特性，作为非电量电测的转换元件，是近代半导体技术应用的一个重 要方面，发展和应用半导体传感器已成为近代测试技术的重要发展方向。 一、磁敏传感器 利用半导体材料的磁敏特性来工作的传感器有霍尔元件、磁阻元件、磁敏管等。 1 霍尔元件 霍尔元件是一种半导体磁电转换元件。一般 由锗(Ge)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等半 导体材料制成。它利用霍尔效应进行工作。如图 所示，将霍尔元件置于磁场B中，如果在a、b端 通以电流i，在c、d端就会出现电位差，称为霍尔电势VH，这种现象称为霍尔效应。 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。在元件c、d两端之 间建立的电场称为霍尔电场，相应的电势称为霍尔电势VH，其大小： 根据此式，如果改变B或i，或者两者同时改变，就可改变VH值。运用这一 特性，就可把被测参数转换为电压量的变化。 第四节 半导体传感器 1）下图表示用霍尔元件测量位移的实例。将霍尔元件置于 两个相邻而方向相反的磁场内，由于每点磁感应强度B值不同， 当元件沿x方向移动时，可由霍尔电势的变化反映出位移量。 以微小位移测量为基础，霍尔元件还可以应用于微压、 压差、高度、加速度和振动的测量。 2）下图表示—种利用霍尔元件探测钢丝绳断丝的工作原理。 这种探测仪的永久磁铁使钢丝绳磁化，当钢丝绳有断丝时，在断 口处出现漏磁场，霍尔元件通过此漏磁场将获得一个脉动电压信 号。此信号经放大、滤波、A／D变换后进入计算机分析，识别 出断丝根数和断口位置。 第四节 半导体传感器 2 磁阻元件 磁阻元件是利用半导体材料的磁阻效应来工作的。借用下图来 说明磁阻效应。 磁阻效应将使通有电流i的金属或半导体片的ab两端之间的电阻随 外磁场B而变化。磁阻效应与材料性质、几何形状有关，一般迁移率愈 大的材料，磁阻效应愈显著，元件的长宽比愈小，磁阻效应愈大。 磁阻元件可用于位移、力、加速度等参数的测量。 3 磁敏管 磁敏二极管和磁敏三极管是70年代发展出来的新型磁敏传感器。这种元件检测磁场变 化的灵敏度很高，约为霍尔元件磁灵敏度的数百至数千倍；又能识别磁场方向，体积小，功 耗小、但有较大的噪声、漂移相温度系数。它们很适合检测微弱磁场的变化，可用于磁力探 伤仪和借助磁场触发的无触点开关，也用于非接触转速、位移测量等。 第四节 半导体传感器 二、光敏传感器 光敏传感器是将光量转换为电量的器件，其工作原理是利用半导体材料的光电效应。 光敏传感器主要有光敏电阻、光敏管和光电池等。 1 光敏电阻 光敏电阻是一种光电导元件，其工作原理是基于半导体材料的内光电效应，即当半导 体受到光照射时，其电阻值减小的现象；其实质是由于在光量子的作用下，物质吸收了能 量，内部释放出电子，使载流子密度或迁移率增加，从而导致电导率增加，电阻下降。光 敏电阻是一种电阻器件，使用时对它加一定偏压，当无光照射时，其阻值(暗电阻值)很大 ，电路中电流很小。受到光照射时，其阻值急剧下降，电路电流迅速增加。 光敏电阻阻值的变化与光的波长有关，不同半导体材料的光 谱特性也不同，如图所示。一般应根据入射光波波长选择材料。 例如硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSc)等适用于可见光范围；氧化锌 (Zno)、硫化锌(Zns)等适用于紫外线域；硫化铅(PbS)、硒化铅 (PbSc)等适用于红外线域。 光敏电阻受温度的影响甚大。当温度升高时，它的暗电阻值、 灵敏度都下降；同时其光谱特性也受到很大的影响，使用时应当特别注意。 第四节 半导体传感器 2 光电池 半导体光电池直接将光能转换成电能；受光照射时，可直接输 出电势，实质上是一个电源。 下图表示具有PN结的光电池原理。当用光照射时，在PN结附近， 由于吸收了光子能量而产生电子与空穴，此称之为光生载流子。它们 在PN结电场作用下，产生漂移运动，电子被推向N区,而空穴被拉进 P区，结果在P型区一边积聚了大量过剩空穴，N型区一边却积聚了大量过剩电子，使P型区 带正电，而N型区带负电，二者之间产生了电位差，用导线联接电路中就有电流通过。 3 光敏二