半导体物理4半导体的导电性.ppt

* 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.2.3 主要散射机制 对于长声学波：起作用的是纵波 原子位移引起原子间距的周期性变化。禁带宽度随原子间距变化，疏处禁带宽度减小，密处增大。这样在波的传播方向上，带边的能量将发生周期性的起伏。对于载流子来说，这相当于存在一附加的势能。 这种和晶格形变相联系的附加势称为形变势。这种散射就称为声学波形变势散射。 在Ge、Si这类非极性晶体中主要是声学波形变势散射起作用。 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.2.3 主要散射机制 对于长光学波：起作用的是纵波 如果单看其中一种等价原子，各原子的位移情况与纵声学波相似。但由于两种等价原子的振动方向相反，因此，在一种原子密的地方，另一种原子疏。（参看P91，图4-10） 长纵光学波散射主要发生在离子晶体中。 在一个半波长的范围内正电荷密度大，而在另一半波长范围内负电荷的密度大。正负电荷之间的静电场将产生附加势。这种散射称为极性光学波散射。 在具有一定离子性的晶体如II—VI化合物和III—V化合物中，极性光学波散射起主要作用。 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.2.3 主要散射机制 量子力学微扰理论计算得出 声学波散射几率 光学波散射几率 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.2.3 主要散射机制 3.其它散射机制 (1)等价能谷间散射 q较大，ω也较大——非弹性散射 低温时不考虑 (2)中性杂质散射 重掺杂，低温时才考虑 (3)缺陷散射 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.2.3 主要散射机制 主要的散射中心 晶格不完整 晶格热振动 载流子散射 杂质 缺陷 声学波散射 光学波散射 电离杂质 中性杂质 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 多种散射机制存在时 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.3.1 迁移率与温度的关系 对于掺杂的Si、Ge 主要散射机制：电离杂质散射和声学波散射 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.3.1 迁移率与温度的关系 1.杂质浓度很高的情况 Ni1018cm-3 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.3.1 迁移率与温度的关系 2.杂质浓度不是很高的情况 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.3.1 迁移率与温度的关系 3.室温下，高纯Si、Ge、GaAs的迁移率 μn(cm2/ V·s) μp(cm2/ V·s) Si 1350 500 Ge 3900 1900 GaAs 8000 3000 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.3.1 迁移率与温度的关系 问题：对于掺杂的GaAs该如何分析？ 主要散射机制：电离杂质散射、声学波散射、光学波散射 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.3.2 迁移率与杂质浓度的关系 注意：此处的掺杂浓度是掺入杂质的总浓度 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 与杂质浓度的关系 重掺杂：不完全电离，μ减小， 偏离直线关系 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 与温度的关系 杂质半导体 载流子来源 迁移率因素 杂质电离1 本征激发2 电离杂质散射3 晶格散射4 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 与温度的关系 载流子变化 迁移率变化 1 2 3 4 低温 随T增加 忽略 随T增加 忽略 室温 全电离 次要 次要 随T降低 高温 次要 随T增加 次要 次要 室温 杂质半导体 本征半导体 主要由ni决定，ρ单调下降 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 在室温下，对Si材料有 Ni 3×1015 5.5×1015 1.3×1016 2.3×1016 2.6×1016 2×1017 2.03×1017 μn 1040 1020 1010 1000 990 700 690 μp 430 420 400 390 380 300 290 则 掺杂情况 P：3×1015 B：1.3×1016 P：1.0×1016 B：1.0×1016 P：1.3×1016 B：3×1015 Ga：1.0×1017 As：1.0×1017 导电类型 少子浓度 μn μp 电阻率 在室温下，对Si材料有 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 例2 用本征半导体Si制成一个热敏电阻，在290K时电阻R1=500Ω，设Si的Eg=1.12eV，且不随温度变化，假设载流子迁移率不变，计算在T=325K时热敏电阻的近似值。 * 重庆邮电大学微电子教学部 * 例3 在半导体Ge材料中掺入施主杂质浓度ND =1×1014/cm3，受主杂质浓度NA=7× 1013/cm3。设室温下本征Ge材料的电阻率ρi=