电力电子器件123章.pptVIP

第一章 引言 《电力电子器件基础》考试课： 闭卷考试 + 平时测验 + 实验报告 后续选修课考查课： 《 新型电力电子器件应用技术》 24学时 ， 9 ~ 16 周　，1．5学分　　　 电路与器件的关系 电力电子器件概述 第二章 半导体器件的理论基础 第一节 半导体基础 第二节 PN节原理 第一节 半导体基础 第二节 PN结原理 第三章 半导体二极管和晶体管 第一节 半导体二极管(Diode) 第二节 双极晶体管(BJT) 第三节 场效应晶体管(FET) 第一节 半导体二极管 Semiconductor Diode 第二节 双极晶体管(BJT) Bipolar Junction Transistor 第三节 场效应晶体管(FET) Field Effect Transistor 电导调制效应: 正偏PN结注入的额外载流子浓度（少子），远远高 于被注入区的平衡少子浓度，使该区电阻率下降。 结论2: 正偏稳态P+N 结突然反偏: 大量的少子因反向而形成瞬时大反向电流， （强空间电场对少子抽取），少子被抽取至平衡 浓度时，大的反向电流恢复至反向饱和电流值I0 。 P+N结由正偏至反偏关断的I-V瞬态曲线: 存储时间ts、下降时间tf、反向恢复时间 toff = ts + tf 。 ， N区中少子空穴寿命（?p）越长?少子复合消失越慢? 存储时间（ts）越长。 IF/IR越高?正向注入多（IF大）； 反向抽取弱（IR小）?存储时间（ts）越长。 3. 高频电力电子器件: 掺入特殊杂质（金）或电子辐照，以缩短少子寿命。 第一节 半导体二极管 （PN结二极管；肖特基二极管） 二. PN结功率二极管: 1. 击穿电压VB与正向压降VF相矛盾。 单边结: 轻掺杂区杂质浓度决定工作特性。 2. 实际PN结不同于理想PN结。――需要表面处理。 A. PN结边缘表面电场增大?表面击穿电压VB减小 ?二极管击穿电压降低。 B. PN结终端（表面）造型技术: 台面磨角造型；加保护环。 一. 分段线性模型:（自学） 正斜角: 高掺杂区直径大于低掺杂区直径。 在PN结磨角边缘低掺杂区空间电荷区展宽， 使总的宽度增加，表面电场下降。 适合于面积较大的硅功率二极管提高VB。 （圆片工艺） 负斜角: 与之相反。 保护环: 适合于高压小功率二极管。 使表面P+N?PN。低掺杂区宽度大大增加? 　 表面电场降低?表面电场小于体内电场。 　　 （方片工艺） 3. 高频二极管: 开关瞬态特性。 A. 正向恢复特性:（OFF?ON 正向电压过冲） 阻性机制: 导通初，欧姆电阻大，导通充分后 电导调制，电阻下降，管压降形成 峰值压降UFP。 感性机制: 内部引线电感和 di/dt ? UFP 。 B. 反向恢复特性:（ON ? OFF） 正向导通时的少子注入（存储效应），使二极管 瞬时反向电流较大。 ①tf : 二极管上偏压反向时刻。 ②t0: 正向电流变为反向电流的时刻。但UF保持为正， 额外空穴密度差 ?PN 大于零。 ③ t? : UF变为负极性。（?PN开始变负） ④ t1: 反向恢复电流达最大值，IR ? IRP，空间电荷区 快速展宽，恢复反向阻断电压。此时di/dt=0 。 ⑤ t1— t2 : 产生反向过冲电压?UR（外引线电感引起）， 此时di/dt ? 0 。 ⑥ t2 : 反向电压过冲至最大值URP，di/dt→0。 4. 软恢复二极管: