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* 第1章 电力电子器件 注意: MOSFET 在漏极和源极之间形成一个反向并联的寄生二极管，与MOSFET构成整体，使得在漏、源极间加反向电压时器件导通。 P N+ N+ N- N+ N+ N+ P S G D 寄生二极管 * 第1章 电力电子器件 GTR的特点 — 双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，导通压降低，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂. MOSFET的特点 — 单极型，电压驱动，开关速度快，导通压降大，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单. 两类器件取长补短结合而成的复合器件 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 -- 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor —IGBT或IGT） * 第1章 电力电子器件 IGBT的结构 IGBT是三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 1. IGBT的结构和工作原理 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 E C G 发射极 栅极 集电极 P N+ N+ N- N+ N+ N+ P 缓冲区 J2 J3 J1 P+ 漂移区 注入区 G E C IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET 驱动的厚基区PNP晶体管 G E RN C * 第1章 电力电子器件 N沟道VDMOSFET与GTR组合— N沟道IGBT（N-IGBT）。 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的 P+N 结 J1。 使IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管 ??RN为晶体管基区内的调制电阻。 * 第1章 电力电子器件 ? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控 器件，通断由栅射极电压 uGE 决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 2) IGBT的原理 ID * 第1章 电力电子器件 2. IGBT的基本特性 1)?IGBT的静态特性 IGBT的转移特性和输出特性 不是从原点开始，是PN结J1造成的，与GTR、P-MOSFET不同 E C G + uGE iC - uCE + - * 第1章 电力电子器件 转移特性 IC与UGE间的关系，与MOSFET转移特性类似。 开启电压UGE(th) — IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压 UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25?C时，UGE(th)的值一般为2~6V 0 UGE UGE(th) IC E C G + uGE iC - uCE + - * 第1章 电力电子器件 以UGE为参考变量时，IC与UCE间的关系。 分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。分别与GTR的截止区、放大区和饱和区相对应。 uCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。 O 有源区 正向阻断区 饱 和 区 反向阻断区 I C U RM U FM U CE U GE(th) U GE 增加 E C G + uGE iC - uCE + - (2) 输出特性（伏安特性） IGBT工作在正向阻断区（关断）及饱和区（导通）。 * 第1章 电力电子器件 2)???IGBT的动态特性 （1）开通延迟时间td(on) 驱动电压uGE前沿上升 至幅值的 10%到集电 极电流 iC 上升至幅值 的10%的时间。 （2）电流上升时间tri 集电极电流iC从10%ICM 上升90%ICM 的时间。 (3) 电压下降时间tfv 0 0 td(on) tri t tfi tfv1 t t 0 tfv2 ton toff tfi1 tfi2 td(off) 10%ICM 90%ICM IC UGE 10%UGEM 90%UGEM 开通时与MOSFET相似，因为开通过程中IGBT在