电力电子技术复习纲要打印12页.docVIP

一、电力电子器件 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲） 2、晶闸管导通后，除去门极电流，晶闸管是否能继续导通？ 能。因其内部有强烈的正反馈。 3、维持SCR导通的条件是什么？怎样才能使其由导通变为关断？ 使流过晶闸管的电流大于或等于其维持电流。可利用外加电压和外电路的作用使流过其电流小于维持电流。 4.电力电子器件的分类及其电气符号、主要特征 不可控器间：不可控器件——不能用控制信号来控制其通断，因此也就不需要驱动电路。电力二极管： 只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。正向导通，反向截止 半控型器件：半控型器件——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。晶闸管及其大部分派生器件：器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定，属电流驱动型。 3）全控型器件——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件。有： 门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor — GTO：与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管）：耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT：与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 电力场效应晶体管（Power MOSFET，简称为电力MOSFET）。 GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱 动功率大，驱动电路复杂 ???? MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件：绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT）： 5．晶闸管电压、电流定额的要求是什么？ 一般取SCR的额定电压为其在正常工作电路中它所能承受的峰值电压的2—3倍。按实际电流与通态平均电流有效值相等的原则来选取晶闸管，应留一定的裕量，一般取通态平均电流1.5~2倍，电流有效值是通态平均电流的1.57倍。 单相可控整流电路 2. 1 单相半波可控整流电路 带电阻负载的工作情况 直流输出电压平均值为 VT的??移相范围为180° 2.带阻感负载的工作情况 ?阻感负载的特点：电感对电流变化有抗拒作用，使得流过电感的电流不能发生突变 2.2单相桥式全控整流电路 1. 带电阻负载的工作情况 ?工作原理及波形分析 数量关系 2. 带阻感负载的工作情况?? ?为便于讨论，假设电路已工作于稳态，id的平均值不变。 晶闸管移相范围为90°。 晶闸管导通角θ与a无关，均为180° ?变压器二次侧电流i2的波形为正负各180°的矩形波，其相位由a角决定，有效值I2=Id。 2.3带续流二极管的单相桥式全控整流电路 续流二极管的作用 ?若无续流二极管，则当a 突然增大至180°或触发脉冲丢失时，会发生一个晶闸管持续导通而两个二极管轮流导通的情况，这使ud成为正弦半波，即半周期ud为正弦，另外半周期ud为零，其平均值保持恒定，称为失控 ?有续流二极管VDR时，续流过程由VDR完成，晶闸管关断，避免了某一个晶闸管持续导通从而导致失控的现象。同时，续流期间导电回路中只有一个管压降，有利于降低损耗 2.4 逆变的概念 ?逆变（invertion）——把直流电转变成交流电，整流的逆过程 有源逆变电路——交流侧和电网连结 逆变产生的条件： （1）有直流电动势，其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压 （2）晶闸管的控制角 a /2，使Ud为负值 ?逆变失败（逆变颠覆）——逆变时，一旦换相失败，外接直流电源就会通过晶闸管电路短路，或使变流器的输出平均电压和直流电动势变成顺向串联，形成很大短路电流 1. 逆变失败的原因 （1）触发电路工作不可靠，不能适时、准确地给各晶闸管分配脉冲，如脉冲丢失、脉冲延时等，致使晶闸管不能正常换相 （2）晶闸管发生故障，该断时不断，或该通时不通 （3）交流电源缺相或突然消失. （4）换相的裕量角不足 引起换相失败 三、直流斩波电路 3.1降压斩波电路 ?电流连续时，负载电压平均值 ton——V通的时间 toff——V断的时间 ???导通占空比 ????????Uo最大为??，减小占空比?，Uo随之减小。因此称为降压斩波电路。 1.T不变，变ton —脉冲宽度调制（PWM） 2.ton不变，变T —频率调制 3.ton和T都可调，改变占空比—混合型 3.2 升压斩