第13章 非光学光刻和先进光刻技术.pptVIP

第十二章 光刻：非光学光刻和先进光刻技术 12.1 先进的光刻技术 光刻技术的改进 减小紫外光源波长 提高光学光刻工具的数值孔径NA 化学放大深紫外光刻胶 分辨率提高技术（相移掩膜PSM和OPC技术） 硅片平坦化以减小表面凹凸度 光学光刻设备的先进化，如步进扫描光刻机 光学光刻中常用的UV波长 12.2 极紫外光刻技术（EUV） 使用激光产生等离子源，获得约11－13nm的紫外波长，并期望光刻图形精度达到30nm。 光产生：利用高功率激光加热负载（Xe或Sn）形成等离子体，等离子体辐射出紫外线。 光收集：光收集器就是一个反射镜，通常是椭球面的，也有球面或平面的，其研究重点是增大收集角，提高反射效率和延长使用寿命。 光纯化：光谱纯化是利用多层膜反射镜多次反射实现的，为了满足EUVL对光谱纯度的要求，通常要经过7次反射。目前的多层膜通常用硅作基底材料，每层厚度7nm左右，材料为Mo/Si，层数40层左右，目前达到的峰值反射率接近70%。 反射式掩膜：反射式EUV掩模衬基为高反射率多层膜，而吸收体材料一般是铬（Cr），也有用其它金属的。铬薄膜常用高真空溅射法淀积到掩模衬基上。需经过优化溅射工艺使铬薄膜基本无针孔，并降低铬薄膜内应力，有时需用一定的表面处理方法来提高铬薄膜和掩模衬基之间的粘附力。 极紫外光刻技术的问题 难以找到合适的掩膜版材料和光学系统。 最近人们发现金属Mo和Si组成的多层膜结构对13nm的 EUV具有较高的反射系数。 所有设备均需工作在高真空环境下。 光源功率较低。 靶材的使用寿命较低。 合适的光刻胶。 JILA实验室的EUV发生装置 2006年8月，ASML Holding NV为纽约奥尔巴尼大学的纳米科学和技术学院（CNSE) 发送了世界上第一台EUV光刻机。这套设备主要用于研发，而非量产。根据该大学的消息，ASML这套名为“Alpha Demo Tool (ADT) ”的设备价值6500万美元，已经处于EUV光刻技术研发和商业化的临界点。 12.3 角度限制投影电子束光刻（SCALPEL） 掩膜版 电子束光刻胶 电子束产生 VB300电子束光刻工具 SCALPEL的问题 SCALPEL的问题 邻近效应（Proximity Effect）引起的图形畸变：散射电子（特别是背散射电子）引起图形展宽，引起 邻近区域的非 有意曝光。 电子轨迹的蒙特卡罗模拟 12.4 离子束投影光刻（IPL） 将离子源产生的氢离子或氦离子经过电子透镜加速并且聚焦后，照射到掩膜版上。 为了防止离子之间的相互干扰，离子首先要被加速到200keV，然后再在离子束到达硅片前将其降低到100keV。 可达到50nm的特征尺寸。 离子束投影光刻示意图 离子束光刻的优点 离子质量比电子大，因而能更有效的将能量转换到光刻胶上。 离子轰击，很少产生二次电子，因而有助于背面散射的减少，减小邻近效应。 曝光面积（曝光场）可以达到20mm×20mm，并且没有扭曲，利于工业化的大规模生产； 可以继续使用现有的光刻胶。 12.5 X射线光刻技术 根据电磁场理论，真空中以光速运动的相对论带电粒子在二极磁场作用下偏转时，会沿着偏转轨道切线方向发射连续谱的电磁波。 同步辐射装置示意图 同步辐射的特点 高亮度：同步辐射的亮度比最强的X光管特征线亮度强万倍以上。用X光机拍摄一幅晶体缺陷照片，通常需要7-15天的感光时间，而利用同步辐射光源只需要几秒。 宽波谱：覆盖了红外、可见、紫外和X光波段,是目前唯一能覆盖这样宽的频谱范围又能得到高亮度的光源。利用单色器可以随意选择所需要的波长,进行单色光的实验。 高准直：同步辐射的发散度极小,准直性可以与激光相媲美。 脉冲性：电子在环行轨道中的分布不是连续的，是一团一团的电子束作回旋运动，也即，同步辐射是脉冲光源，脉冲的宽度为100皮秒量级，脉冲间隔为微秒或亚微米量级。同步辐射具有时间结构。 偏振性：同步辐射具有线偏振和圆偏振性，可用 来研究样品中特定参数的取向问题。 直线加速器 永磁铁和插入件 同步辐射的发展 第一代同步辐射光源. 在核物理/粒子物理研究的空挡，利用同步加速器所发射的同步光进行科学研究,称为寄生方式。北京高能所同步辐射装置(BSRF) 。 第二代同步辐射光源. 第一代同步辐射光源已不能满足研究需求，建立了用专门的装置产生同步光,例如合肥同步辐射装置。 第三代同步辐射光源. 科学家发现在储存环中加入插入件可以使同步辐射的亮度再提高千倍以上，得到的同步辐射主要来自插入件。台湾新竹建有一台第三代同步辐射光源(SSRL)。 高亮度,高时间分辨力和空间分辨力. 同步辐射应用：生命科学 掩膜